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AP2301AGN-HF

更新时间： 2024-01-06 10:00:31

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		驱动
页数	文件大小	规格书
4页	56K
描述
Simple Drive Requirement, Small Package Outline

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AP2301AGN-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.59
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2301AGN-HF 数据手册

AP2301AGN-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

97mΩ

- 3.3A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

combination of fast switching,low on-resistance and cost-effectiveness.

The SOT-23 package is widely preferred for commercial-industrial surface

mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC

converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 20

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

-3.3

-2.7

-15

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

1.38

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201303084

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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