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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> AP2161WG-7
AP2161WG-7 PDF预览

AP2161WG-7

更新时间： 2024-01-08 03:57:40
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
18页 457K
描述
1A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH

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AP2161WG-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：LSSOP, TSOP5/6,.11,37针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：1.52Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/440471.1.1.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=440471PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=440471
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=440471Samacsys PartID：440471
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/AP2161WG-7.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/AP2161WG-7.jpg
Samacsys Pin Count：5Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (5-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT25*1
Samacsys Released Date：2020-04-24 05:53:03Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SINK
最大输出电流：1 A标称输出峰值电流：1.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.45 mm子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：2.7 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：1.6 mmBase Number Matches：1

AP2161WG-7 数据手册

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AP2161/ AP2171  
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, VIN = +5V, unless otherwise specified.)  
Symbol  
VUVLO  
ISHDN  
IQ  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
1.9  
0.5  
45  
Max  
2.5  
1
Unit  
V
Input UVLO  
1.6  
RLOAD = 1kΩ  
Input Shutdown Current  
Input Quiescent Current  
Input Leakage Current  
Reverse Leakage Current  
A
Disabled, IOUT = 0  
Enabled, IOUT = 0  
70  
1
µA  
µA  
µA  
Disabled, OUT grounded  
ILEAK  
IREV  
1
Disabled, VIN = 0V, VOUT = 5V, IREV at VIN  
SOT25, MSOP-8EP, SO-8  
U-DFN2018-6  
95  
90  
115  
110  
140  
140  
T
A = +25°C  
V
IN = 5V,  
I
OUT = 1A  
-40°C ≤ TA ≤ +85°C  
A = +25°C  
-40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Switch on-resistance  
mΩ  
RDS(ON)  
120  
T
VIN = 3.3V,  
IOUT = 1A  
170  
1.9  
1
Short-Circuit Current Limit  
Over-Load Current Limit  
Current limiting trigger threshold  
EN Input leakage  
1.2  
1.5  
2.0  
A
ISHORT  
ILIMIT  
ITrig  
Enabled into short circuit, CL = 68µF  
1.1  
A
VIN = 5V, VOUT = 4.6V, CL = 68µF, -40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Output Current Slew rate (<100A/s) , CL=68µF  
A
µA  
ms  
ms  
ms  
ms  
ISINK  
VEN = 5V  
Output turn-on delay time  
Output turn-on rise time  
Output turn-off delay time  
Output turn-off fall time  
0.05  
0.6  
tD(ON)  
tR  
tD(OFF)  
tF  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
1.5  
0.1  
0.01  
0.05  
Fault Flag  
RFLG  
tBlank  
FLG output FET on-resistance  
FLG blanking time  
20  
7
40  
15  
Ω
I
FLG = 10mA  
4
ms  
CIN = 10µF, CL = 68µF  
Over-Temperature Protection  
Thermal Shutdown Threshold  
140  
TSHDN  
THYS  
Enabled, RLOAD = 1kΩ  
C  
Thermal Shutdown Hysteresis  
25  
110  
60  
C  
SO-8 (Note 5)  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
MSOP-8EP (Note 6)  
SOT25 (Note 7)  
Thermal Resistance Junction-to-  
Ambient  
θJA  
157  
70  
U-DFN2018-6 (Note 8)  
Notes:  
5. Test condition for SO-8: Device mounted on FR-4, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
6. Test condition for MSOP-8EP: Device mounted on 2” x 2” FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and  
thermal vias to bottom layer ground plane.  
7. Test condition for SOT25: Device mounted on FR-4, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
8. Test condition for U-DFN2018-6: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and 3 vias to bottom  
layer 1.0”x1.4” ground plane.  
4 of 18  
www.diodes.com  
March 2013  
© Diodes Incorporated  
AP2161/ AP2171  
Document number: DS31564 Rev. 7 - 2  
1234567...18

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