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AP2161D

更新时间： 2024-01-11 08:21:25
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
17页 472K
描述
1A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER

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AP2161D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：GREEN, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.59
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：5.05 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SINK
最大输出电流：1 A标称输出峰值电流：1.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：2.7 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

AP2161D 数据手册

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AP2161D/AP2171D  
1A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER  
SWITCH WITH OUTPUT DISCHARGE  
Electrical Characteristics (TA = 25oC, VIN = +5.0V, unless otherwise stated)  
Symbol  
Parameter  
Input UVLO  
Test Conditions  
Min Typ. Max  
Unit  
V
1.6  
1.9  
0.5  
45  
2.5  
1
VUVLO  
Input Shutdown Current  
Input Quiescent Current  
Input Leakage Current  
Reverse Leakage Current  
Disabled, IOUT= 0  
Enabled, IOUT= 0  
μA  
μA  
μA  
μA  
ISHDN  
IQ  
ILEAK  
IREV  
70  
1
Disabled, OUT grounded  
0.1  
0.1  
Disabled, VIN= 0V, VOUT= 5V, IREV at VIN  
1
SOT25, MSOP-8-EP,  
SO-8  
TA = 25°C  
95  
90  
115  
VIN = 5V,  
DFN2018-6  
110  
140  
140  
170  
IOUT= 1A  
RDS(ON) Switch on-resistance  
mΩ  
-40°C ≤ TA ≤ 85°C  
TA = 25°C  
VIN = 3.3V,  
IOUT= 1A  
120  
-40°C ≤ TA ≤ 85°C  
ISHORT Short-Circuit Current Limit  
1.2  
1.5  
2.0  
A
A
Enabled into short circuit, CL=22μF  
VIN= 5V, VOUT= 4.0V, CL=120μF,-40°C ≤ TA  
≤85°C  
ILIMIT  
Over-Load Current Limit  
1.1  
2
1.9  
ITrig  
VIL  
Current limiting trigger threshold  
EN Input Logic Low Voltage  
EN Input Logic High Voltage  
EN Input leakage  
A
V
Output Current Slew rate (<100A/s) , CL=22μF  
VIN = 2.7V to 5.5V  
0.8  
1
VIH  
VIN = 2.7V to 5.5V  
V
ISINK  
VEN = 5V  
μA  
ms  
ms  
ms  
ms  
Ω
TD(ON) Output turn-on delay time  
TR Output turn-on rise time  
TD(OFF) Output turn-off delay time  
0.05  
0.6  
0.05  
0.05  
20  
CL=1μF, Rload=10Ω  
1.5  
CL=1μF, Rload=10Ω  
CL=1μF, Rload=10Ω  
TF  
Output turn-off fall time  
0.1  
40  
15  
CL=1μF, Rload=10Ω  
RFLG  
FLG output FET on-resistance IFLG =10mA  
TBlank FLG blanking time  
4
7
ms  
Ω
CIN=10uF, CL=22μF  
RDIS  
TDIS  
Discharge resistance (Note 3)  
Discharge Time  
VIN = 5V, disabled, IOUT= 1mA  
CL= 1µF, VIN = 5V, disabled to VOUT < 0.5V  
Enabled, Rload=1kΩ  
100  
0.6  
140  
25  
ms  
°C  
°C  
TSHDN Thermal Shutdown Threshold  
THYS  
Thermal Shutdown Hysteresis  
SOT25 (Note 4)  
170  
127  
67  
SO-8 (Note 4)  
Thermal Resistance Junction-to-  
Ambient  
oC/W  
θJA  
MSOP-8-EP (Note 5)  
DFN2018-6 (Note 5)  
70  
Notes:  
3. The discharge function is active when the device is disabled (when enable is de-asserted). The discharge function offers a resistive discharge path  
for the external storage capacitor.  
4. Device mounted on FR-4 4 substrate PCB, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
5. Device mounted on 2” x 2” FR-4 substrate PCB, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and thermal vias to bottom layer ground  
plane.  
4 of 17  
www.diodes.com  
September 2010  
© Diodes Incorporated  
AP2161D/2171D  
Document number: DS32250 Rev. 2 - 2  
1234567...17

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