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AMMP-6333-TR1G

更新时间： 2024-01-16 07:48:22

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安华高科 - AVAGO		射频和微波射频放大器微波放大器驱动
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9页	226K
描述
18 â 33 GHz, 0.2 W Driver Amplifier in SMT Package

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技术参数
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AMMP-6333-TR1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LCC8,.2SQ,28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.B.2.D	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	最大输入功率 (CW)：	20 dBm
JESD-609代码：	e4	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
最大工作频率：	33000 MHz	最小工作频率：	18000 MHz
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC8,.2SQ,28
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	230 mA
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Gold (Ni/Au)
Base Number Matches：	1

AMMP-6333-TR1G 数据手册

Table 3. Thermal Properties

Parameter

Test Conditions

Value

Maximum Power Dissipation

Tbaseplate = 85°C

PD = 2.5W

Tchannel = 150°C

Thermal Resistance, qjc

Vd = 5V

qjc = 27 °C/W

Tchannel = 116°C

Id = 230mA

PD = 1.15W

Tbaseplate = 85°C

Thermal Resistance, qjc

Under RF Drive

Vd = 5V

qjc = 27 °C/W

Tchannel = 139°C

Id = 400mA

Pout = 24dBm

PD = 2W

Tbaseplate = 85°C

Absolute Minimum and Maximum Ratings

Table 4. Minimum and Maximum Ratings

Description

Min.

Max.

Unit

Comments

Drain to Gate Voltage, Vd-Vg

Positive Supply Voltage, Vd

Gate Supply Voltage, Vg

Power Dissipation, PD

5.5

0 to 2.5

2.5

CW Input Power, Pin

dBm

°C

Channel Temperature, Tch

Storage Temperature, Tstg

Maximum Assembly Temperature, Tmax

Notes:

+150

+155

320

-65

30 second maximum

1. Operation in excess of any one of these conditions may result in permanent damage to this device.

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