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AMIS30663NGA

更新时间： 2024-02-29 13:54:29
品牌 Logo 应用领域
AMI 电信集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 216K
描述
High Speed CAN Transceiver

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AMIS30663NGA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79JESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.9276 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7272 mm
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.937 mm
Base Number Matches：1

AMIS30663NGA 数据手册

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Data Sheet  
AMIS-30663  
High Speed CAN Transceiver  
8.0 Electrical Characteristics  
8.1 Definitions  
All voltages are referenced to GND (pin 2). Positive currents flow into the IC. Sinking current means that the current is flowing into the pin. Sourcing  
current means that the current is flowing out of the pin.  
8.2 Absolute Maximum Ratings  
Stresses above those listed in Table 4 may cause permanent device failure. Exposure to absolute maximum ratings for extended periods may effect device  
reliability.  
Table 4: Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Supply voltage  
I/O interface voltage  
Conditions  
Min.  
-0.3  
-0.3  
-45  
Max.  
+7  
+7  
Unit  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kV  
V
kV  
V
mA  
°C  
°C  
°C  
CC  
V
33  
V
CANH  
V
CC  
0 < V < 5.25V; no time limit  
DC voltage at pin CANH  
DC voltage at pin CANL  
DC voltage at pin TxD  
DC voltage at pin RxD  
DC voltage at pin VREF  
Transient voltage at pin CANH  
Transient voltage at pin CANL  
Transient voltage at pin VREF  
Electrostatic discharge voltage  
at CANH and CANL pin  
Electrostatic discharge voltage  
at all other pins  
+45  
+45  
CC  
CANL  
V
CC  
0 < V < 5.25V; no time limit  
-45  
TxD  
V
V
V
V
+ 0.3  
-0.3  
-0.3  
-0.3  
-150  
-150  
-150  
-8  
-500  
-4  
-250  
RxD  
V
CC  
CC  
+ 0.3  
+ 0.3  
REF  
V
tran(CANH)  
V
Note 1  
Note 1  
Note 1  
Note 2  
Note 5  
Note 3  
Note 5  
Note 4  
+150  
tran(CANL)  
V
+150  
+150  
+8  
+500  
+4  
+250  
100  
+155  
+125  
+150  
tran(VREF)  
V
esd(CANL/CANH  
V
)
esd  
V
Latch-up  
Static latch-up at all pins  
Storage temperature  
Ambient temperature  
Maximum junction temperature  
stg  
T
-55  
-40  
-40  
amb  
T
junc  
T
Notes  
1) Applied transient waveforms in accordance with "ISO 7637 part 3", test pulses 1, 2, 3a, and 3b (see Figure 4).  
2) Standardized human body model system ESD pulses in accordance to IEC 1000.4.2  
3) Standardized human body model ESD pulses in accordance to MIL883 method 3015. Supply pin 8 is 4kV  
4) Static latch-up immunity: static latch-up protection level when tested according to EIA/JESD78.  
5) Standardized charged device model ESD pulses when tested according to EOS/ESD DS5.3-1993.  
8.3 Thermal Characteristics  
Table 5: Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
In free air  
In free air  
Value  
145  
45  
Unit  
K/W  
K/W  
th(vj-a)  
R
Thermal resistance from junction to ambient in SO8 package  
Thermal resistance from junction to substrate of bare die  
th(vj-s)  
R
AMI Semiconductor - Rev. 1.4, Oct. 04  
www.amis.com  
5
12345678...12

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