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AM42BDS640AGBC8IT

更新时间： 2024-02-15 01:42:00

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飞索 - SPANSION		闪存内存集成电路静态存储器
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72页	1000K
描述
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM

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AM42BDS640AGBC8IT 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	最长访问时间：	85 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B93	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：	FLASH+SRAM	端子数量：	93
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA93,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000008 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.025 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

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P R E L I M I N A R Y

Figure 24. Alternate Synchronous Program Operation Timings ..... 54

Write Cycle .............................................................................65

Figure 36. SRAM Write Cycle—WE# Control ................................ 65

Figure 37. SRAM Write Cycle—CE1#s Control ............................. 66

Figure 38. SRAM Write Cycle—UB#s and LB#s Control............... 67

Flash Erase And Programming Performance . 68

Flash Latchup Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . 68

Package Pin Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

Flash Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

SRAM Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

Figure 39. CE1#s Controlled Data Retention Mode....................... 69

Figure 40. CE2s Controlled Data Retention Mode......................... 69

Physical Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

FSC093—93-Ball Fine-Pitch Grid Array 8 x 11.6 mm ............70

Revision Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

Revision A (May 20, 2002) .....................................................71

Figure 25. Chip/Sector Erase Command Sequence....................... 55

Figure 26. Accelerated Unlock Bypass Programming Timing......... 56

Figure 27. Data# Polling Timings (During Embedded Algorithm) ... 57

Figure 28. Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithm)......... 57

Figure 29. Synchronous Data Polling Timings/Toggle Bit Timings . 58

Figure 30. Latency with Boundary Crossing ................................... 59

Figure 31. Latency with Boundary Crossing

into Program/Erase Bank................................................................ 60

Figure 32. Example of Wait States Insertion (Standard

Handshaking Device)...................................................................... 61

Figure 33. Back-to-Back Read/Write Cycle Timings....................... 62

SRAM AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

Read Cycle .............................................................................63

Figure 34. SRAM Read Cycle—Address Controlled....................... 63

Figure 35. SRAM Read Cycle......................................................... 64

Am42BDS640AG

November 1, 2002

1 2 3 456 7 8...72

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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AM42BDS640AGBC9IS	AMD	64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Mem	获取价格
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