是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP40,.8,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
部门数/规模: | 1,2,1,15 | 端子数量: | 40 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
就绪/忙碌: | YES | 反向引出线: | YES |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV008BB-120EIB | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV008BB-120EK | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV008BB120FC | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
AM29LV008BB-120FC | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV008BB-120FCB | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV008BB120FE | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
AM29LV008BB-120FE | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV008BB-120FEB | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV008BB120FI | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
AM29LV008BB-120FI | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |