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AM29F200BB-75DGE1

更新时间： 2024-09-28 05:26:35
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 523K
描述
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Revision 1

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AM29F200BB-75DGE1 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DIE
包装说明：DIE,针数：42
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.21
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION备用内存宽度：8
数据保留时间-最小值：20JESD-30 代码：R-XUUC-N42
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：42字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX16封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

AM29F200BB-75DGE1 数据手册

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Am29F200B  
Known Good Die  
Data Sheet  
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Continuity of Specifications  
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Continuity of Ordering Part Numbers  
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WKHVHꢀSURGXFWVꢆꢀSOHDVHꢀXVHꢀRQO\ꢀWKHꢀ2UGHULQJꢀ3DUWꢀ1XPEHUVꢀOLVWHGꢀLQꢀWKLVꢀGRFXPHQWꢄ  
For More Information  
3OHDVHꢀFRQWDFWꢀ\RXUꢀORFDOꢀ$0'ꢀRUꢀ)XMLWVXꢀVDOHVꢀRIILFHꢀIRUꢀDGGLWLRQDOꢀLQIRUPDWLRQꢀDERXWꢀ6SDQVLRQ  
PHPRU\ꢀVROXWLRQVꢄ  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F200BB-75DGF1 SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 70ns, DIE-42
AM29F200BB-75DGH1 SPANSION

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 		Flash, 256KX8, 70ns,
AM29F200BB-75DGI1 AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Rev
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