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AM29F200AB-70EEB

更新时间： 2024-09-21 05:26:35
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存
页数 文件大小 规格书
39页 448K
描述
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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AM29F200AB-70EEB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：48字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V就绪/忙碌：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE

AM29F200AB-70EEB 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F200A  
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ 5.0 V ± 10% for read and write operations  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— Minimizes system level power requirements  
■ Embedded Algorithms  
■ High performance  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Low power consumption  
— 20 mA typical active read current (byte mode)  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— 28 mA typical active read current for  
(word mode)  
■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed  
■ Package options  
— 30 mA typical program/erase current  
— 1 µA typical standby current  
— 44-pin SO  
■ Sector erase architecture  
— 48-pin TSOP  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
three 64 Kbyte sectors (byte mode)  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply flash  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
three 32 Kword sectors (word mode)  
— Superior inadvertent write protection  
— Supports full chip erase  
■ Data# Polling and Toggle Bit  
— Sector Protection features:  
— Detects program or erase cycle completion  
■ Ready/Busy# output (RY/BY#)  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
— Hardware method for detection of program or  
erase cycle completion  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
— Supports reading data from a sector not being  
erased  
■ Hardware RESET# pin  
— Resets internal state machine to the reading  
array data  
Publication# 20637 Rev: B Amendment/+3  
Issue Date: March 1998  
1234567...39

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与AM29F200AB-70EEB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F200AB-70EI AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-70EI SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48
AM29F200AB-70EIB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-70EK SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48
AM29F200AB-70FC AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-70FC SPANSION

获取价格

 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-70FCB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-70FD SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-70FE SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, REVERSE, TSOP-48
AM29F200AB-70FE AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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