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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 部门数/规模： | 16,126 |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,8X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 8K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29DL640H70EI | SPANSION | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640H70EI | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640H70EIN | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640H70EK | SPANSION | Flash, 4MX16, 70ns, MO-142DD, TSOP-48 |
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| AM29DL640H70WHE | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640H70WHEN | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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