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AM29DL164DT120EEN

更新时间: 2024-01-05 11:50:17
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页数 文件大小 规格书
52页 936K
描述
x8/x16 Flash EEPROM

AM29DL164DT120EEN 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA,
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.23Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度:8启动块:TOP
数据保留时间-最小值:20JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e1长度:9 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

AM29DL164DT120EEN 数据手册

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CONNECTION DIAGRAMS  
48-Ball FBGA  
Top View, Balls Facing Down  
A6  
B6  
C6  
D6  
E6  
F6  
G6  
H6  
VSS  
A13  
A12  
A14  
A15  
A16  
BYTE# DQ15/A-1  
A5  
A9  
B5  
A8  
C5  
D5  
E5  
F5  
G5  
H5  
A10  
A11  
DQ7  
DQ14  
DQ13  
DQ6  
A4  
B4  
C4  
D4  
E4  
F4  
G4  
H4  
WE# RESET#  
NC  
A19  
DQ5  
DQ12  
VCC  
DQ4  
A3 B3  
C3  
D3  
E3  
F3  
G3  
H3  
RY/BY# WP#/ACC A18  
NC  
DQ2  
DQ10  
DQ11  
DQ3  
A2  
A7  
B2  
C2  
A6  
D2  
A5  
E2  
F2  
G2  
H2  
A17  
DQ0  
DQ8  
DQ9  
DQ1  
A1  
A3  
B1  
A4  
C1  
A2  
D1  
A1  
E1  
A0  
F1  
G1  
H1  
VSS  
CE#  
OE#  
Special Handling Instructions for FBGA  
Package  
Special handling is required for Flash Memory prod-  
ucts in FBGA packages.  
Flash memory devices in FBGA packages may be  
damaged if exposed to ultrasonic cleaning methods.  
The package and/or data integrity may be compro-  
mised if the package body is exposed to temperatures  
above 150°C for prolonged periods of time.  
Am29DL162D/163D/164D  
7

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