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AM29DL164DT120

更新时间： 2024-01-19 02:52:16

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超微 - AMD		闪存
页数	文件大小	规格书
57页	1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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AM29DL164DT120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AM29DL164DT120 数据手册

CONNECTION DIAGRAMS

64-Ball Fortified BGA

Top View, Balls Facing Down

V_SS

A13

A12

A14

A15

A16

BYTE# DQ15/A-1 V_SS

DQ6

A10

A11

DQ7

DQ14

DQ13

WE# RESET#

A19

DQ5

DQ12

V_CC

DQ4

A4 B4

RY/BY# WP#/ACC A18

DQ2

DQ10

DQ11

DQ3

A17

DQ0

DQ8

DQ9

DQ1

CE#

OE#

V_SS

Am29DL16xD

May 26, 2004

1...5 6 789 10 11...57

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