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AM29DL164DB90EF

更新时间: 2024-02-27 16:13:21
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
57页 1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

AM29DL164DB90EF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA48,6X8,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:8,31
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.045 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

AM29DL164DB90EF 数据手册

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PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Part Number  
Am29DL16xD  
Speed Option  
Standard Voltage Range: VCC = 2.7–3.6 V  
70  
70  
70  
30  
90  
90  
90  
40  
120  
120  
120  
50  
Max Access Time (ns)  
CE# Access (ns)  
OE# Access (ns)  
BLOCK DIAGRAM  
OE# BYTE#  
V
V
CC  
SS  
Upper Bank Address  
A0–A19  
Upper Bank  
X-Decoder  
RY/BY#  
A0–A19  
RESET#  
STATE  
CONTROL  
&
COMMAND  
REGISTER  
WE#  
CE#  
Status  
DQ0–DQ15  
BYTE#  
Control  
WP#/ACC  
DQ0–DQ15  
X-Decoder  
Lower Bank  
A0–A19  
Lower Bank Address  
OE# BYTE#  
6
Am29DL16xD  
May 26, 2004  

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