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AM29DL164DB120

更新时间： 2024-02-10 10:01:10

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超微 - AMD		闪存
页数	文件大小	规格书
57页	1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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AM29DL164DB120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	20 YEAR DATA RETENTION	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm

AM29DL164DB120 数据手册

PRODUCT SELECTOR GUIDE

Part Number

Am29DL16xD

Speed Option

Standard Voltage Range: V_CC= 2.7–3.6 V

120

Max Access Time (ns)

CE# Access (ns)

OE# Access (ns)

BLOCK DIAGRAM

OE# BYTE#

Upper Bank Address

A0–A19

Upper Bank

X-Decoder

RY/BY#

A0–A19

RESET#

STATE

CONTROL

COMMAND

WE#

CE#

Status

DQ0–DQ15

BYTE#

Control

WP#/ACC

DQ0–DQ15

X-Decoder

Lower Bank

A0–A19

Lower Bank Address

OE# BYTE#

Am29DL16xD

May 26, 2004

1...3 4 567 8 9...57

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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AM29DL164DB120EI	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
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