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AM27C256-70EC

更新时间： 2024-09-30 22:56:31

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超微 - AMD		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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12页	94K
描述
256 Kilobit (32,768 x 8-Bit) CMOS EPROM

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AM27C256-70EC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	12.75 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AM27C256-70EC 数据手册

FINAL

Advanced

Micro

Am27C256

256 Kilobit (32,768 x 8-Bit) CMOS EPROM

Devices

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

V_CC+ 1 V

— 55 ns

■ High noise immunity

■ Low power consumption

■ Versatile features for simple interfacing

— 20 µA typical CMOS standby current

■ JEDEC-approved pinout

— Both CMOS and TTL input/output

compatibility

■ Single +5 V power supply

— Two line control functions

■ ±10% power supply tolerance available

■ 100% Flashrite programming

— Typical programming time of 4 seconds

■ Standard 28-pin DIP, PDIP, 32-pin TSOP and

PLCC packages

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C256 is a 256K-bit ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 32K

words by 8 bits per word, operates from a single +5 V

supply, has a static standby mode, and features fast sin-

gle address location programming. Products are avail-

ableinwindowedceramicDIPpackagesaswellasplas-

tic one time programmable (OTP) PDIP, TSOP, and

PLCC packages.

controls, thus eliminating bus contention in a multiple

bus microprocessor system.

AMD’s CMOS process technology provides high speed,

low power, and high noise immunity. Typical power con-

sumption is only 80 mW in active mode, and 100 µW in

standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in blocks,

or at random. The Am27C256 supports AMD’s Flashrite

programming algorithm (100 µs pulses) resulting in typi-

cal programming time of 4 seconds.

Typically, any byte can be accessed in less than 55 ns,

allowing operation with high-performance microproces-

sors without any WAIT states. The Am27C256 offers

separate Output Enable (OE) and Chip Enable (CE)

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

Output

Buffers

Prog Logic

Decoder

Gating

A0–A14

Address

Inputs

262,144

Bit Cell

Matrix

Decoder

08007H-1

Publication# 08007 Rev. H Amendment/0

Issue Date: May 1995

2-32

12 3 4 5 6 7...12

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