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ALM31222-TR1G

更新时间： 2024-01-10 04:02:55

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安华高科 - AVAGO		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
13页	259K
描述
1-Watt High Linearity Amplifier

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ALM31222-TR1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MODULE,22LEAD,0.25	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	13.7 dB
最大输入功率 (CW)：	25 dBm	功能数量：	1
端子数量：	22	最大工作频率：	2700 MHz
最小工作频率：	1700 MHz	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	MODULE,22LEAD,0.25	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	470 mA	Base Number Matches：	1

ALM31222-TR1G 数据手册

[7]

Electrical Speciﬁcations

T = 25 °C, Vdd =5V, Vctrl=5V, RF performance at 2.0 GHz, measured on demo board (see Figure 7) unless otherwise

speciﬁed.

Symbol

Ids

Parameter and Test Condition

Quiescent current

Units

Min.

Typ.

415

10.4

14.9

47.9

31.5

Max.

370

470

Ictrl

Vctrl current

Gain

OIP3 ^[8]

OP1dB

PAE

Gain

13.7

16.8

Output Third Order Intercept Point

Output Power at 1dB Gain Compression

Power Added Eﬃciency

Noise Figure

dBm

44.5

2.7

S11

Input Return Loss, 50Ω source

Output Return Loss, 50Ω load

Reverse Isolation

-10

S22

-10

S12

-30

Notes:

7. Measurements at 2GHz obtained using demo board described in Figure 6 and 7.

8. 2GHz OIP3 test condition: F - F = 10MHz with input power of -5dBm per tone measured at worse case side band.

RF1

RF2

9. Use proper bias, heat sink and de-rating to ensure maximum channel temperature is not exceeded. See absolute maximum ratings and

application note (if applicable) for more details.

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