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AEPDD4X1M5-80P

更新时间: 2024-01-14 18:08:31
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
5页 206K
描述
DRAM|PAGE MODE|4X1MX5|DIP|72PIN|PLASTIC

AEPDD4X1M5-80P 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP72,.1Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:80 ns
其他特性:CONFIGURABLE AS 4M X 5备用内存宽度:10
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T72
JESD-609代码:e0内存密度:20971520 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:20
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX20输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP72,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MIXMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AEPDD4X1M5-80P 数据手册

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