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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP72,.1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | STATIC COLUMN | 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 4M X 5 | 备用内存宽度： | 10 |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T72 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 20971520 bit |
| 内存集成电路类型： | DRAM MODULE | 内存宽度： | 20 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX20 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP72,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MIXMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AEPDD4X1M5-80S | ETC |
获取价格 |
DRAM|STATIC COL|4X1MX5|DIP|72PIN|PLASTIC |
|
| AEPDD4X4M5-80 | ETC |
获取价格 |
DRAM|4X4MX5|DIP|72PIN|PLASTIC |
|
| AEPDD4X4M5-80N | ETC |
获取价格 |
DRAM|NIBBLE MODE|4X4MX5|DIP|72PIN|PLASTIC |
|
| AEPDD4X4M5-80P | ETC |
获取价格 |
DRAM|PAGE MODE|4X4MX5|DIP|72PIN|PLASTIC |
|
| AEPDD4X4M5-80S | ETC |
获取价格 |
DRAM|STATIC COL|4X4MX5|DIP|72PIN|PLASTIC |
|
| AEPDH1M8LB-10 | ETC |
获取价格 |
x8 DRAM Module， Undefined Architecture |
|
| AEPDH1M8LB-10N | ETC |
获取价格 |
x8 Nibble Mode DRAM Module |
|
| AEPDH1M8LB-10P | ETC |
获取价格 |
x8 Page Mode DRAM Module |
|
| AEPDH1M8LB-10S | ETC |
获取价格 |
x8 Static Column Mode DRAM Module |
|
| AEPDH1M8LB-12 | ETC |
获取价格 |
x8 DRAM Module， Undefined Architecture |
|
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