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ADUM221N1BRWZ

更新时间： 2024-02-03 08:19:02

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亚德诺 - ADI		光电二极管
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23页	571K
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ADUM221N1BRWZ

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ADUM221N1BRWZ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.13	模拟集成电路 - 其他类型：	ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
长度：	10.3 mm	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

ADUM221N1BRWZ 数据手册

Data Sheet

ADuM220N/ADuM221N/ADuM225N/ADuM226N

SPECIFICATIONS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS—5 V OPERATION

All typical specifications are at T_A= 25°C, V_DD1= V_DD2= 5 V. Minimum/maximum specifications apply over the entire recommended

operation range of 4.5 V ≤ V_DD1≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V_DD2≤ 5.5 V, and −40°C ≤ T_A≤ +125°C, unless otherwise noted. Switching specifications

are tested with C_L= 15 pF and CMOS signal levels, unless otherwise noted. Supply currents are specified with 50% duty cycle signals.

Table 1.

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions/Comments

SWITCHING SPECIFICATIONS

Pulse Width

6.6

Within pulse width distortion (PWD)

limit

Data Rate

150

4.8

Mbps

ps/°C

Within PWD limit

50% input to 50% output

|t_PLH− t_PHL|

Propagation Delay

Pulse Width Distortion

Change vs. Temperature

Propagation Delay Skew

t_PHL, t_PLH

PWD

7.2

0.5

1.5

t_PSK

6.0

Between any two units at the

same temperature, voltage, and load

Channel Matching

Codirectional

Opposing Direction

Jitter

t_PSKCD

t_PSKOD

0.5

380

3.0

ps p-p

ps rms

See the Jitter Measurement section

DC SPECIFICATIONS

Input Threshold

Logic High

V_IH

V_IL

0.7 × V_DDx

Logic Low

0.3 × V_DDx

Output Voltage

Logic High

V_OH

V_OL

I_I

V_DDx− 0.1

V_DDx− 0.4

V_DDx

V_DDx− 0.2

0.0

0.2

+0.01

I_Ox¹= −20 µA, V_Ix= V_IxH

I_Ox¹= −4 mA, V_Ix= V_IxH

Logic Low

0.1

0.4

+10

I_Ox¹= 20 µA, V_Ix= V_IxL

I_Ox¹= 4 mA, V_Ix= V_IxL

Input Current per Channel

Quiescent Supply Current

ADuM220N/ADuM225N

−10

µA

0 V ≤ V_Ix≤ V_DDx

I_{DD1 (Q)}

I_{DD2 (Q)}

I_{DD1 (Q)}

I_{DD2 (Q)}

0.9

1.3

6.4

1.4

1.3

1.8

10.0

1.9

V_I⁴= 0 (N0), 1 (N1)⁵

V_I⁴= 1 (N0), 0 (N1)⁵

ADuM221N/ADuM226N

I_{DD1 (Q)}

I_{DD2 (Q)}

I_{DD1 (Q)}

I_{DD2 (Q)}

1.1

4.0

4.9

1.6

1.5

5.8

6.4

V_I⁴= 0 (N0), 1 (N1)⁵

V_I⁴= 1 (N0), 0 (N1)⁵

Dynamic Supply Current

Dynamic Input

Dynamic Output

Undervoltage Lockout

Positive V_DDxThreshold

Negative V_DDxThreshold

V_DDxHysteresis

I_{DDI (D)}

0.01

0.02

mA/Mbps Inputs switching, 50% duty cycle

I_{DDO (D)}

UVLO

V_DDxUV+

V_DDxUV−

V_DDxUVH

1.6

1.5

0.1

Rev. A | Page 3 of 23

1 234 5 6 7...23

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