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ADUM221N1BRWZ

更新时间： 2024-01-23 13:19:40
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亚德诺 - ADI 光电二极管
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23页 571K
描述
ADUM221N1BRWZ

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ADUM221N1BRWZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SOP,
针数：16Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.13模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e3
长度：10.3 mm湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：5 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

ADUM221N1BRWZ 数据手册

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ADuM220N/ADuM221N/ADuM225N/ADuM226N  
Data Sheet  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions/Comments  
AC SPECIFICATIONS  
Output Rise/Fall Time  
tR/tF  
2.5  
ns  
10% to 90%  
Common-Mode Transient  
Immunity6  
|CMH|  
75  
75  
100  
kV/µs  
VIx = VDDx, VCM = 1000 V,  
transient magnitude = 800 V  
VIx = 0 V, VCM = 1000 V,  
|CML|  
100  
kV/µs  
transient magnitude = 800 V  
1 IOx is the Channel x output current, where x is A or B.  
2 VIxH is the input side logic high.  
3 VIxL is the input side logic low.  
4 VI is the voltage input.  
5 N0 refers to the ADuM220N0/ADuM221N0/ADuM225N0/ADuM226N0 models, and N1 refers to the ADuM220N1/ADuM221N1/ADuM225N1/ADuM226N1 models. See  
the Ordering Guide section.  
6 |CMH| is the maximum common-mode voltage slew rate that can be sustained while maintaining the voltage output (VO) > 0.8 VDDx. |CML| is the maximum common-  
mode voltage slew rate that can be sustained while maintaining VO > 0.8 V. The common-mode voltage slew rates apply to both rising and falling common-mode  
voltage edges.  
Table 2. Total Supply Current vs. Data Throughput  
1 Mbps  
Typ  
25 Mbps  
Typ  
100 Mbps  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
SUPPLY CURRENT  
ADuM220N/ADuM225N  
Supply Current Side 1  
Supply Current Side 2  
ADuM221N/ADuM226N  
Supply Current Side 1  
Supply Current Side 2  
IDD1  
IDD2  
3.7  
1.4  
6.8  
2.0  
4.2  
2.2  
7.2  
3.2  
6.2  
4.8  
9.3  
8.1  
mA  
mA  
IDD1  
IDD2  
2.6  
3.0  
4.5  
4.9  
3.2  
3.7  
5.4  
5.9  
5.4  
5.9  
8.2  
8.6  
mA  
mA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—3.3 V OPERATION  
All typical specifications are at TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 3.3 V. Minimum/maximum specifications apply over the entire recommended  
operation range: 3.0 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V, 3.0 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V, and −40°C ≤ TA ≤ +125°C, unless otherwise noted. Switching specifications  
are tested with CL = 15 pF and CMOS signal levels, unless otherwise noted. Supply currents are specified with 50% duty cycle signals.  
Table 3.  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions/Comments  
SWITCHING SPECIFICATIONS  
Pulse Width  
Data Rate  
Propagation Delay  
Pulse Width Distortion  
Change vs. Temperature  
Propagation Delay Skew  
PW  
6.6  
150  
4.8  
ns  
Mbps  
ns  
ns  
ps/°C  
ns  
Within PWD limit  
Within PWD limit  
50% input to 50% output  
|tPLH − tPHL|  
tPHL, tPLH  
PWD  
6.8  
0.7  
1.5  
14  
3
tPSK  
7.0  
Between any two units at the same  
temperature, voltage, and load  
Channel Matching  
Codirectional  
Opposing Direction  
Jitter  
tPSKCD  
tPSKOD  
0.7  
0.7  
290  
45  
3.0  
3.0  
ns  
ns  
ps p-p  
ps rms  
See the Jitter Measurement section  
See the Jitter Measurement section  
DC SPECIFICATIONS  
Input Threshold  
Logic High  
VIH  
VIL  
0.7 × VDDx  
V
V
Logic Low  
0.3 × VDDx  
Rev. A | Page 4 of 23  
 
 
 
 
 
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