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ADR439AR

更新时间： 2024-01-05 02:57:01
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 电源电路参考电压源光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
24页 1182K
描述
Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

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ADR439AR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.81
其他特性：OUTPUT VOLTAGE CAN BE ADJUSTED OVER A 0.5 PERCENT RANGE USING TRIM PIN模拟集成电路 - 其他类型：THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1输出次数：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电压：4.502 V
最小输出电压：4.498 V标称输出电压：4.5 V
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：Voltage References最大供电电压 (Vsup)：18 V
最小供电电压 (Vsup)：6.5 V标称供电电压 (Vsup)：6.5 V
表面贴装：YES最大电压温度系数：3 ppm/ °C
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
微调/可调输出：YES最大电压容差：0.04%
宽度：3.9 mm

ADR439AR 数据手册

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ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439  
SPECIFICATIONS  
ADR430 ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VIN = 4.1 V to 18 V, ILOAD = 0 mA, TA = 25°C, unless otherwise noted.  
Table 2.  
Parameter  
Output Voltage  
B Grade  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VO  
VO  
2.047  
2.045  
2.048  
2.048  
2.049  
2.05±  
V
V
A Grade  
Initial Accuracy  
B Grade  
B Grade  
A Grade  
A Grade  
VOERR  
VOERR  
VOERR  
VOERR  
±
0.05  
3
mV  
%
mV  
%
0.±5  
Temperature Coefficient  
SOIC-8 (B Grade)  
SOIC-8 (A Grade)  
MSOP-8  
TCVO  
TCVO  
TCVO  
∆VO/∆VIN  
−40°C < TA < +±25°C  
−40°C < TA < +±25°C  
−40°C < TA < +±25°C  
VIN = 4.± V to ±8 V  
−40°C < TA < +±25°C  
ILOAD = 0 mA to ±0 mA, VIN = 5.0 V  
−40°C < TA < +±25°C  
ILOAD = −±0 mA to 0 mA, VIN = 5.0 V  
−40°C < TA < +±25°C  
No load, −40°C < TA < +±25°C  
0.± Hz to ±0.0 Hz  
±
2
2
3
±0  
±0  
ppm/°C  
ppm/°C  
ppm/V  
Line Regulation  
5
20  
±5  
Load Regulation  
∆VO/∆ILOAD  
ppm/mA  
±5  
800  
ppm/mA  
µA  
µV p-p  
Quiescent Current  
Voltage Noise  
IIN  
eN p-p  
eN  
560  
3.5  
60  
Hz  
nV√  
Voltage Noise Density  
Turn-On Settling Time  
Long-Term Stability±  
Output Voltage Hysteresis  
Ripple Rejection Ratio  
Short Circuit to GND  
± kHz  
tR  
CIN = 0  
±,000 h  
±0  
40  
20  
–70  
40  
µs  
∆VO  
VO_HYS  
RRR  
ISC  
VIN  
VIN − VO  
ppm  
ppm  
dB  
mA  
V
fIN = ±0 kHz  
Supply Voltage Operating Range  
Supply Voltage Headroom  
4.±  
2
±8  
V
± The long-term stability specification is noncumulative. The drift in subsequent ±,000 hour periods is significantly lower than in the first ±,000 hour period.  
Rev. B | Page 3 of 24  
 
1234567...24

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