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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> ADP3110AKCPZ-RL
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ADP3110AKCPZ-RL

更新时间： 2024-01-12 06:53:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 127K
描述
Dual Bootstrapped, 12 V MOSFET Driver with Output Disable

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ADP3110AKCPZ-RL 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：1.75 mm
最大供电电压：13.2 V最小供电电压：4.15 V
标称供电电压：12 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

ADP3110AKCPZ-RL 数据手册

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ADP3110A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Note 4) (V = 12 V, T = 0°C to +85°C, T = 0°C to +125°C unless otherwise noted.)  
CC  
A
J
Characteristic  
Symbol  
Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Supply  
Supply Voltage Range  
Supply Current  
V
−
4.6  
−
13.2  
5.0  
V
CC  
I
BST = 12 V, IN = 0 V  
−
0.7  
mA  
SYS  
OD Input  
Input Voltage High  
Input Voltage Low  
Hysteresis  
V
−
2.0  
−
−
−
−
0.8  
−
V
V
OD_HI  
V
−
OD_LO  
−
−
400  
−
mV  
mA  
Input Current  
No internal pullup or pulldown resistors  
−1.0  
+1.0  
PWM Input  
Input Voltage High  
Input Voltage Low  
Hysteresis  
V
−
2.0  
−
−
−
−
0.8  
−
V
V
PWM_HI  
V
−
PWM_LO  
−
−
−
400  
−
mV  
mA  
Input Current  
−
No internal pullup or pulldown resistors  
−1.0  
+1.0  
High−Side Driver  
Output Resistance, Sourcing Current  
Output Resistance, Sinking Current  
Output Resistance, Unbiased  
Transition Times  
−
−
−
BST − SW = 12 V  
BST − SW = 12 V  
BST − SW = 0 V  
−
−
−
−
2.2  
1.0  
15  
3.4  
1.8  
−
W
W
kW  
ns  
t
t
BST − SW = 12 V, C  
= 3.0 nF  
20  
11  
55  
45  
rDRVH  
fDRVH  
LOAD  
(See Figure 3)  
Propagation Delay Times (Note 5)  
t
BST − SW = 12 V, C  
= 3.0 nF  
= 3.0 nF  
32  
45  
25  
70  
35  
ns  
pdhDRVH  
pdlDRVH  
LOAD  
BST − SW = 12 V, C  
LOAD  
t
(See Figure 3)  
t
(See Figure 2)  
(See Figure 2)  
20  
25  
35  
55  
pdlOD  
t
pdhOD  
SW Pulldown Resitance  
Low−Side Driver  
−
SW to PGND  
−
15  
−
kW  
Output Resistance, Sourcing Current  
Output Resistance, Sinking Current  
Output Resistance, Unbiased  
Transition Times  
−
−
−
−
−
−
−
1.8  
1.0  
15  
3.4  
1.8  
−
W
W
V
= PGND  
kW  
ns  
CC  
t
t
C
C
= 3.0 nF, (See Figure 3)  
16  
11  
50  
30  
rDRVL  
fDRVL  
LOAD  
LOAD  
Propagation Delay Times (Note 5)  
t
= 3.0 nF, (See Figure 3)  
(Note 6, t  
−
12  
15  
35  
40  
ns  
pdhDRVL  
only)  
pdhDRVL  
t
pdlDRVL  
t
(See Figure 2)  
(See Figure 2)  
20  
20  
35  
35  
pdlOD  
t
pdhOD  
Timeout Delay  
Undervoltage Lockout  
UVLO Startup  
−
DRVH − SW = 0  
−
85  
−
ns  
−
−
−
−
−
−
3.9  
3.7  
0.1  
4.3  
4.1  
0.2  
4.5  
4.3  
0.4  
V
V
V
UVLO Shutdown  
Hysteresis  
4. All limits at temperature extremes are guaranteed via correlation using standard Statistical Quality Control (SQC).  
5. For propagation delays, “tpdh” refers to the specified signal going high; “tpdl” refers to it going low.  
6. Guaranteed by design; not tested in production.  
http://onsemi.com  
4
 
12345678

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