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ADN2855ACPZ-R7

更新时间： 2024-01-25 06:52:36

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亚德诺 - ADI		外围集成电路
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21页	433K
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Multirate 155 Mbps/622 Mbps/1244 Mbps/1250 Mbps Burst Mode Clock and Data Recovery IC with Deserializerer

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ADN2855ACPZ-R7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFN
包装说明：	HVQCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	5A991.B.3
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	S-XQCC-N32
JESD-609代码：	e3	长度：	5 mm
湿度敏感等级：	1	端子数量：	32
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	HVQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压：	3.6 V
最小供电电压：	3 V	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	5 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	MICROPROCESSOR CIRCUIT
Base Number Matches：	1

ADN2855ACPZ-R7 数据手册

Data Sheet

ADN2855

I²C INTERFACE TIMING AND INTERNAL REGISTER DESCRIPTION

R/W

CTRL

SADDR[7:1]

PIN PIN

0 = W

1 = R

Figure 10. Slave Address Configuration

SLAVE ADDR, LSB = 0 (WR) A(S) SUB ADDR A(S) DATA A(S)

DATA A(S)

Figure 11. I²C Write Data Transfer

SLAVE ADDR, LSB = 0 (WR) A(S) SUB ADDR A(S)

SLAVE ADDR, LSB = 1 (RD) A(S) DATA A(M)

DATA A(M) P

S = START BIT

P = STOP BIT

A(M) = LACK OF ACKNOWLEDGE BY MASTER

A(S) = ACKNOWLEDGE BY SLAVE

A(M) = ACKNOWLEDGE BY MASTER

Figure 12. I²C Read Data Transfer

START BIT

STOP BIT

SLAVE ADDRESS

SUB ADDRESS

DATA

SDA

SCK

ACK

SADDR[4:0]

SUB ADDR[6:1]

DATA[6:1]

Figure 13. I²C Data Transfer Timing

t_F

t_SU;DAT

t_HD;STA

t_BUF

t_R

SDA

SCK

t_SU;STO

t_R

t_F

t_LOW

t_HD;STA

t_HIGH

t_SU;STA

t_HD;DAT

Figure 14. I²C Port Timing Diagram

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