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Datasheet > 信号电路 > 锁相环或频率合成电路> ADF4210BRU
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ADF4210BRU

更新时间： 2024-01-03 14:55:43
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI /
页数 文件大小 规格书
20页 252K
描述
Dual RF/IF PLL Frequency Synthesizers

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ADF4210BRU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-20
针数：20Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：5A991.BHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.69模拟集成电路 - 其他类型：PLL FREQUENCY SYNTHESIZER
JESD-30 代码：R-PDSO-G20JESD-609代码：e0
长度：6.5 mm功能数量：1
端子数量：20最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP20,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
子类别：PLL or Frequency Synthesis Circuits最大供电电流 (Isup)：3 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

ADF4210BRU 数据手册

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ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213–SPECIFICATIONS1  
(VDD1 = VDD2 = 3 V ꢀ 10%, 5 V ꢀ 10%; VDD1, VDD2 ≤ VP1, VP2 ≤ 6.0 V; AGNDRF = DGNDRF = AGNDIF = DGNDIF = 0 V; RSET = 2.7 kꢁ dBm to 50 ꢁ;  
TA = TMIN to TMAX unless otherwise noted.)  
P
arameter  
B Version  
B Chips2  
Unit  
Test Conditions/Comments  
RF/IF CHARACTERISTICS (3 V)  
RF Input Frequency (RFIN  
)
See Figure 3 for Input Circuit.  
ADF4210  
ADF4211  
ADF4212  
ADF4213  
0.1/1.2  
0.1/2.0  
0.15/2.7  
0.2/3.0  
–10/0  
0.1/1.2  
0.1/2.0  
0.15/2.7  
0.2/3.0  
–10/0  
GHz min/max Use a square wave for frequencies lower than FMIN.  
GHz min/max  
GHz min/max  
GHz min/max  
dBm min/max  
RF Input Sensitivity  
IF Input Frequency (IFIN  
ADF4210  
ADF4211  
ADF4212  
ADF4213  
)
60/550  
60/550  
0.06/1.0  
0.06/1.0  
–10/0  
60/550  
60/550  
0.06/1.0  
0.06/1.0  
–10/0  
MHz min/max  
MHz min/max  
GHz min/max  
GHz min/max  
dBm min/max  
IF Input Sensitivity  
Maximum Allowable  
Prescaler Output Frequency3  
165  
165  
MHz max  
RF/IF CHARACTERISTICS (5 V)  
RF Input Frequency (RFIN  
)
See Figure 3 for Input Circuit.  
ADF4210  
ADF4211  
ADF4212  
ADF4213  
0.18/1.2  
0.18/2.0  
0.2/2.3  
0.2/2.5  
–5/0  
0.18/1.2  
0.18/2.0  
0.2/2.3  
0.2/2.5  
–5/0  
GHz min/max Use a square wave for frequencies lower than FMIN.  
GHz min/max  
GHz min/max  
GHz min/max  
dBm min/max  
RF Input Sensitivity  
IF Input Frequency (IFIN  
ADF4210  
ADF4211  
ADF4212  
ADF4213  
)
100/550  
100/550  
0.1/1.0  
0.1/1.0  
–5/0  
100/550  
100/550  
0.1/1.0  
0.1/1.0  
–5/0  
MHz min/max  
MHz min/max  
GHz min/max  
GHz min/max  
dBm min/max  
IF Input Sensitivity  
Maximum Allowable  
Prescaler Output Frequency3  
200  
200  
MHz max  
REFIN CHARACTERISTICS  
REFIN Input Frequency  
See Figure 2 for Input Circuit.  
MHz min/max For F < 5 MHz, use dc-coupled square wave  
0/115  
–5/0  
0/115  
–5/0  
(0 to VDD ).  
REFIN Input Sensitivity4  
dBm min/max AC-Coupled. When dc-coupled, 0 to VDD max  
(CMOS-Compatible)  
REFIN Input Capacitance  
REFIN Input Current  
10  
100  
10  
100  
pF max  
µA max  
PHASE DETECTOR  
Phase Detector Frequency5  
55  
55  
MHz max  
CHARGE PUMP  
ICP Sink/Source  
High Value  
Programmable: See Table V  
With RSET = 2.7 kΩ  
5
625  
3
5
625  
3
mA typ  
µA typ  
% typ  
kΩ, min/max  
nA typ  
% typ  
Low Value  
Absolute Accuracy  
With RSET = 2.7 kΩ  
R
SET Range  
1.5/5.6  
1.5/5.6  
ICP Three-State Leakage Current  
Sink and Source Current Matching  
ICP vs. VCP  
1
2
2
2
1
2
2
2
0.5 V Յ VCP Յ VP – 0.5 V  
0.5 V Յ VCP Յ VP – 0.5 V  
VCP = VP/2  
% typ  
% typ  
ICP vs. Temperature  
LOGIC INPUTS  
VINH, Input High Voltage  
VINL, Input Low Voltage  
0.8 × DVDD  
0.2 × DVDD  
1
0.8 × DVDD  
0.2 × DVDD  
1
V min  
V max  
µA max  
pF max  
I
INH/IINL, Input Current  
CIN, Input Capacitance  
10  
10  
LOGIC OUTPUTS  
V
OH, Output High Voltage  
DVDD – 0.4  
0.4  
DVDD – 0.4  
0.4  
V min  
V max  
IOH = 500 µA  
IOL = 500 µA  
VOL, Output Low Voltage  
–2–  
REV. A  
1234567...20

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