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AD8428BRZ-RL

更新时间： 2024-01-06 08:11:54

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亚德诺 - ADI		/
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20页	348K
描述
Low Noise, Low Gain Drift, G = 2000

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技术参数
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AD8428BRZ-RL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIE,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
放大器类型：	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.2 µA
标称带宽 (3dB)：	3.5 MHz	最小共模抑制比：	130 dB
最大输入失调电流 (IIO)：	0.05 µA	最大输入失调电压：	100 µV
JESD-30 代码：	R-XUUC-N8	长度：	2.89 mm
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
最大非线性：	0.0005%	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	座面最大高度：	0.3048 mm
标称压摆率：	50 V/us	子类别：	Instrumentation Amplifier
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
标称电压增益：	2000	宽度：	1.755 mm
Base Number Matches：	1

AD8428BRZ-RL 数据手册

Data Sheet

AD8428

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

V_S= 15 V, V_REF= 0 V, T_A= 25°C, G = 2000, R_L= 10 kΩ, unless otherwise noted.

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

POSITIVE INPUT I

BIAS

N = 5170

MEAN = 2.12

SD = 7.332

1400

1200

1000

800

600

400

200

NEGATIVE INPUT I

BIAS

N = 5171

MEAN = –10.8

SD = 6.67496

N = 5171

MEAN = –10.2

SD = 6.52901

–60

–40

–20

–60

–40

–20

(nA)

(µV)

BIAS

OSI

Figure 3. Typical Distribution of Input Offset Voltage, V_S= 5 V

Figure 6. Typical Distribution of Input Bias Current

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

N = 5171

N = 5169

1400

MEAN = –0.53

MEAN = –2.57

SD = 1.41655

SD = 7.31066

1200

1000

800

600

400

200

–8

–6

–4

–2

–60

–40

–20

(nA)

(µV)

OSI

Figure 7. Typical Distribution of Input Offset Current

Figure 4. Typical Distribution of Input Offset Voltage, V_S= 15 V

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

1600

N = 5166

N = 3487

1400

MEAN = 0.398

MEAN = –53.9

SD = 86.7774

SD = 0.42707

1200

1000

800

600

400

200

–3

–2

–1

–600

–400

–200

200

400

600

DRIFT (µV/°C)

GAIN ERROR (µV/V)

OSI

Figure 5. Typical Distribution of Input Offset Voltage Drift

Figure 8. Typical Distribution of Gain Error, Gain = 2000,

V_S= 15 V, R_L= 10 kΩ

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