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AD8314ARM

更新时间： 2024-02-29 15:03:32
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 电信集成电路电信电路光电二极管控制器
页数 文件大小 规格书
16页 277K
描述
100 MHz-2500 MHz 45 dB RF Detector/Controller

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AD8314ARM 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.01
JESD-30 代码：S-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：3 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm标称供电电压：3 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：TELECOM CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mmBase Number Matches：1

AD8314ARM 数据手册

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(V = 3 V, T = +25؇C, unless otherwise noted)  
AD8314–SPECIFICATIONS  
S
A
Parameter  
Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OVERALL FUNCTION  
Frequency Range  
Input Voltage Range  
Equivalent Power Range  
Logarithmic Slope  
Logarithmic Intercept  
Equivalent dBm Level  
To Meet All Specifications  
Internally AC-Coupled  
52.3 Ω External Termination  
Main Output, V_UP, 100 MHz1  
Main Output, V_UP, 100 MHz  
52.3 Ω External Termination  
0.1  
1.25  
–45  
18.85  
–68  
–55  
2.5  
224  
0
23.35  
–56  
–43  
GHz  
mV rms  
dBm  
mV/dB  
dBV  
dBm  
21.3  
–62  
–49  
INPUT INTERFACE  
DC Resistance to COMM  
Inband Input Resistance  
Input Capacitance  
(Pin RFIN)  
100  
3
2
kΩ  
kΩ  
pF  
f = 0.1 GHz  
f = 0.1 GHz  
MAIN OUTPUT  
Voltage Range  
Minimum Output Voltage  
Maximum Output Voltage2  
General Limit  
Available Output Current  
Response Time  
(Pin V_UP)  
V_UP Connected to VSET  
No Signal at RFIN, RL ≥ 10 kΩ  
RL ≥ 10 kΩ  
2.7 V ≤ VS ≤ 5.5 V  
Sourcing/Sinking  
10%–90%, 10 dB Step  
f = 0.1 GHz (Worst Condition)  
0.01  
0.01  
1.9  
VS – 1.1  
1/0.5  
1.2  
0.05  
V
V
V
V
mA  
ns  
µV  
0.02  
2
VS – 1  
2/1  
70  
100  
Residual RF (at 2f)  
INVERTED OUTPUT  
Gain Referred to V_UP  
Minimum Output Voltage  
Maximum Output Voltage  
Available Output Current  
Output-Referred Noise  
Response Time  
(Pin V_DN)  
V
DN = 2.25 V – 2 × VUP  
–2  
0.05  
2.2  
6/200  
1.05  
70  
VS ≥ 3.3 V  
0.01  
2.1  
4/100  
0.1  
2.5  
V
V
VS ≥ 3.3 V3  
Sourcing/Sinking  
mA/µA  
µV/√Hz  
ns  
RF Input = 2 GHz, –33 dBV, fNOISE = 10 kHz  
10%–90%, 10 dB Input Step  
–40 dBm to 0 dBm Input Step, to 95%  
Full-Scale Settling Time  
150  
ns  
SETPOINT INPUT  
Voltage Range  
Input Resistance  
(Pin VSET)  
Corresponding to Central 40 dB  
0.15  
7
1.2  
V
kΩ  
10  
Logarithmic Scale Factor  
f = 0.900 GHz  
f = 1.900 GHz  
20.7  
19.7  
mV/dB  
mV/dB  
ENABLE INTERFACE  
Logic Level to Enable Power  
Input Current when HI  
(Pin ENBL)  
HI Condition, –30°C ≤ TA ≤ +85°C  
2.7 V at ENBL, –30°C ≤ TA ≤ +85°C  
LO Condition, –30°C ≤ TA ≤ +85°C  
1.6  
VPOS  
300  
0.8  
V
µA  
V
20  
Logic Level to Disable Power  
–0.5  
POWER INTERFACE  
Supply Voltage  
Quiescent Current  
Over Temperature  
Total Supply Current when Disabled  
Over Temperature  
(Pin VPOS)  
2.7  
3.0  
2.7  
3.0  
4.5  
4.4  
20  
5.5  
5.7  
6.6  
95  
V
mA  
mA  
µA  
µA  
–30°C ≤ TA ≤ +85°C  
–30°C ≤ TA ≤ +85°C  
40  
NOTES  
1Mean and Standard Deviation specifications are available in Table I.  
2Increased output possible when using an attenuator between V_UP and VSET to raise the slope.  
3Refer to Figure 19 for details.  
Specifications subject to change without notice.  
REV. 0  
–2–  
1234567...16

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