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AD8253 PDF预览

AD8253

更新时间： 2024-01-13 19:46:00
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 仪表放大器
页数 文件大小 规格书
10页 217K
描述
10 MHz, 20 V/レs, G = 1, 10, 100, 1000 i CMOS㈢ Programmable Gain Instrumentation Amplifier

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AD8253 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP10,.19,20针数：10
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：1.47
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/5501.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=5501
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=55013D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=5501
Samacsys PartID：5501Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/AD8253ARMZ.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/AD8253ARMZ.jpgSamacsys Pin Count：10
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：RM-10(MSOP)Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.04 µA标称带宽 (3dB)：10 MHz
最大输入失调电流 (IIO)：0.03 µAJESD-30 代码：S-PDSO-G10
JESD-609代码：e4长度：3 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-17 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：10最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP10,.19,20
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：+-5/+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
标称压摆率：25 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
最大压摆率：4.5 mA供电电压上限：17 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：1000
最小电压增益：1标称电压增益：10
宽度：3 mmBase Number Matches：1

AD8253 数据手册

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Preliminary Technical Data  
AD8253  
SPECIFICATIONS  
+VS = +15 V, −VS = −15 V, VREF = 0 V @ TA = 25°C, G = 1, RL = 2 kΩ, unless otherwise noted.  
Table 2.  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
COMMON-MODE REJECTION RATIO (CMRR)  
CMRR to 60 Hz with 1 kΩ Source Imbalance  
+IN = −IN = −10 V to +10 V  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
80  
dB  
dB  
dB  
dB  
100  
120  
120  
CMRR to 50 kHz  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
+IN = −IN = −10 V to +10 V  
80  
dB  
dB  
dB  
dB  
NOISE  
Voltage Noise, 1 kHz, RTI  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
40  
9
8
nV/√Hz  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
8
0.1 Hz to 10 Hz, RTI  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
Current Noise, 1 kHz  
Current Noise, 0.1 Hz to 10 Hz  
VOLTAGE OFFSET  
Offset RTI VOS  
Over Temperature  
Average TC  
Offset Referred to the Input vs. Supply (PSR)  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
Over Temperature  
Average TC  
2.5  
2.5  
μV p-p  
μV p-p  
μV p-p  
μV p-p  
pA/√Hz  
pA p-p  
5
60  
G = 1, 10, 100, 1000  
T = −40°C to +85°C  
T = −40°C to +85°C  
VS = 5 V to 15 V  
200 + 600/G  
260 + 900/G  
1.2 + 5/G  
μV  
μV  
μV/°C  
μV/V  
6 + 20/G  
5
5
30  
40  
400  
30  
30  
nA  
nA  
pA/°C  
nA  
nA  
T = −40°C to +85°C  
T = −40°C to +85°C  
Input Offset Current  
Over Temperature  
Average TC  
160  
pA/°C  
DYNAMIC RESPONSE  
Small Signal −3 dB Bandwidth  
G = 1  
10  
6
3
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
0.3  
Settling Time 0.01%  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
ΔOUT = 10 V step  
585  
648  
ns  
ns  
ns  
ns  
Rev. prA | Page 3 of 10  
1234567...10

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