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AD8231TCPZ-EP-R7 PDF预览

AD8231TCPZ-EP-R7

更新时间： 2024-02-24 02:37:18
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
20页 598K
描述
Zero Drift, Digitally Programmable Instrumentation Amplifier

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AD8231TCPZ-EP-R7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN, LCC16,.16SQ,25针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：1.75
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.005 µA
标称带宽 (3dB)：1 MHz最小共模抑制比：100 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.0005 µA最大输入失调电压：15 µV
JESD-30 代码：S-XQCC-N16JESD-609代码：e3
长度：4 mm湿度敏感等级：1
最大非线性：0.005%功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC16,.16SQ,25
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
标称压摆率：1.1 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
最大压摆率：5 mA供电电压上限：6 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：MILITARY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4 mmBase Number Matches：1

AD8231TCPZ-EP-R7 数据手册

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AD8231-EP  
Data Sheet  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Dynamic Performance  
Bandwidth  
G = 1  
G = 2  
2.7  
2.5  
MHz  
MHz  
Gain Bandwidth Product  
G = 4 to 128  
Slew Rate  
7
1.1  
MHz  
V/µs  
Output Characteristics  
Output Voltage High  
RL = 100 kΩ to ground  
RL = 10 kΩ to ground  
RL = 100 kΩ to 3 V  
RL = 10 kΩ to 3 V  
2.9  
2.8  
2.94  
2.88  
60  
80  
40  
V
V
mV  
mV  
mA  
Output Voltage Low  
100  
200  
Short-Circuit Current  
Digital Interface  
Input Voltage Low  
TA = −55°C to +125°C  
TA = −55°C to +125°C  
TA = −55°C to +125°C  
TA = −55°C to +125°C  
0.7  
V
V
ns  
ns  
Input Voltage High  
Setup Time to CS High  
Hold Time after CS High  
2.3  
60  
20  
OPERATIONAL AMPLIFIERS  
Input Characteristics  
Offset Voltage, VOS  
5
15  
µV  
Temperature Drift  
Input Bias Current  
TA = −55°C to +125°C  
TA = −55°C to +125°C  
TA = −55°C to +125°C  
0.01  
250  
0.06  
500  
5
100  
0.5  
2.95  
µV/°C  
pA  
nA  
pA  
nA  
Input Offset Current  
20  
Input Voltage Range  
Open-Loop Gain  
Common-Mode Rejection Ratio  
Power Supply Rejection Ratio  
Voltage Noise Density  
Voltage Noise  
0.05  
100  
100  
100  
V
120  
120  
110  
27  
V/mV  
dB  
dB  
nV/√Hz  
µV p-p  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
0.6  
Dynamic Performance  
Gain Bandwidth Product  
Slew Rate  
1
0.5  
MHz  
V/µs  
Output Characteristics  
Output Voltage High  
RL = 100 kΩ to ground  
RL = 10 kΩ to ground  
RL = 100 kΩ to 3 V  
RL = 10 kΩ to 3 V  
2.9  
2.8  
2.96  
2.82  
60  
80  
40  
V
V
mV  
mV  
mA  
Output Voltage Low  
100  
200  
Short-Circuit Current  
BOTH AMPLIFIERS  
Power Supply  
Quiescent Current  
Quiescent Current (Shutdown)  
3.5  
0.01  
4.5  
1
mA  
µA  
Rev. A | Page 6 of 20  
1...3456789...20

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