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AD8221ARMZ

更新时间： 2024-02-13 12:04:19
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亚德诺 - ADI 仪表放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
24页 718K
描述
Precision Instrumentation Amplifier

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AD8221ARMZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSSOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.14放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.00375 µA标称带宽 (3dB)：0.825 MHz
最小共模抑制比：80 dB最大输入失调电流 (IIO)：0.00225 µA
最大输入失调电压：150 µVJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V最大非线性：0.005%
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：1.1 mm
标称压摆率：2.5 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：1000
最小电压增益：1宽度：3 mm
Base Number Matches：1

AD8221ARMZ 数据手册

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AD8221  
AR Grade  
Typ Max  
BR Grade  
Parameter  
Conditions  
Min  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
TEMPERATURE RANGE  
Specified Performance  
Operating Range4  
–40  
–40  
+85  
+125  
–40  
–40  
+85  
+125  
°C  
°C  
1 Total RTI VOS = (VOSI) + (VOSO/G).  
2 Does not include the effects of external resistor RG.  
3 One input grounded. G = 1.  
4 See Typical Performance Characteristics for expected operation between 85°C to 125°C.  
Table 2.  
ARM Grade  
Parameter  
Conditions  
Unit  
Min  
Typ  
Max  
COMMON-MODE REJECTION RATIO (CMRR)  
CMRR DC to 60 Hz with 1 kΩ Source Imbalance  
VCM = −10 V to +10 V  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
CMRR at 10 kHz  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
80  
dB  
dB  
dB  
dB  
100  
120  
130  
VCM = –10 V to +10 V  
80  
90  
100  
100  
dB  
dB  
dB  
dB  
eNI2 + (eNO/G)2  
RTI noise = √  
NOISE  
Voltage Noise, 1 kHz  
Input Voltage Noise, eNI  
Output Voltage Noise, eNO  
RTI  
VIN+, VIN−, VREF = 0  
8
75  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
G = 1  
G = 10  
G = 100 to 1000  
Current Noise  
2
μV p-p  
μV p-p  
μV p-p  
fA/√Hz  
pA p-p  
0.5  
0.25  
40  
6
f = 1 kHz  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
VOLTAGE OFFSET1  
Input Offset, VOSI  
Over Temperature  
Average TC  
Output Offset, VOSO  
Over Temperature  
Average TC  
VS = 5 V to 15 V  
T = −40°C to +85°C  
70  
μV  
μV  
μV/°C  
μV  
mV  
135  
0.9  
600  
1.00  
9
VS = 5 V to 15 V  
T = −40°C to +85°C  
μV/°C  
Offset RTI vs. Supply (PSR)  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
VS = 2.3 V to 18 V  
90  
100  
120  
140  
140  
dB  
dB  
dB  
dB  
100  
120  
120  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
Over Temperature  
Average TC  
Input Offset Current  
Over Temperature  
Average TC  
0.5  
2
3
nA  
nA  
pA/°C  
nA  
nA  
T = −40°C to +85°C  
T = −40°C to +85°C  
Rev. B | Page 5 of 24  
3
0.3  
1
1.5  
3
pA/°C  
 
12345678...24

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