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AD8220WARMZ

更新时间： 2024-01-13 13:00:31
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 仪表放大器放大器电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
28页 510K
描述
JFET Input Instrumentation Amplifier with Rail-to-Rail Output in MSOP Package

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AD8220WARMZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.19针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.67
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/578679.3.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=578679
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=5786793D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=578679
Samacsys PartID：578679Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/AD8220WARMZ-RL.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/3/AD8220WARMZ-RL.jpgSamacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：8-Lead MSOPSamacsys Released Date：2017-01-11 11:21:59
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.1 µA标称共模抑制比：72 dB
最大输入失调电压：250 µVJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.19
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：+-5/+-15 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.1 mm标称压摆率：2 V/us
子类别：Instrumentation Amplifier最大压摆率：0.75 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3 mm
Base Number Matches：1

AD8220WARMZ 数据手册

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AD8220  
SPECIFICATIONS  
ꢀS+ = 15 ꢀ, ꢀS− = −15 ꢀ, ꢀREF = 0 ꢀ, TA = 25°C, TOPR = −40°C to +85°C for A and B grades. TOPR = −40°C to +125°C for W grade,  
G = 1, RL = 2 kΩ1, unless otherwise noted.  
Table 1.  
A Grade  
Typ  
B Grade  
Typ  
W Grade  
Typ  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
COMMON-MODE  
TA for A, B grades,  
REJECTION RATIO (CMRR) TOPR for W grade  
CMRR DC to 60 Hz with  
1 kΩ Source Imbalance  
VCM  
=
10 V  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
CMRR at 5 kHz  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
78  
94  
94  
94  
86  
77  
92  
92  
92  
dB  
dB  
dB  
dB  
100  
100  
100  
VCM  
=
10 V  
74  
84  
84  
84  
80  
90  
90  
90  
72  
80  
80  
80  
dB  
dB  
dB  
dB  
NOISE  
RTI noise =  
√(eni2 + (eno/G)2), TA  
Voltage Noise, 1 kHz  
Input Voltage Noise, eni  
Output Voltage Noise, eno  
RTI, 0.1 Hz to 10 Hz  
G = 1  
VIN+, VIN− = 0 V  
VIN+, VIN− = 0 V  
14  
90  
14  
90  
17  
100  
14  
90  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
5
0.8  
1
5
0.8  
1
5
0.8  
1
μV p-p  
μV p-p  
fA/√Hz  
G = 1000  
Current Noise  
f = 1 kHz  
VOLTAGE OFFSET  
Input Offset, VOSI  
Average TC  
Output Offset, VOSO  
Average TC  
VOS = VOSI + VOSO/G  
TA  
TOPR  
TA  
TOPR  
−250  
−10  
−750  
−10  
+250  
+10  
+750  
+10  
−125  
−5  
−500  
−5  
+125  
+5  
+500  
+5  
−250  
−10  
−750  
−10  
+250  
+10  
+750  
+10  
μV  
μV/°C  
μV  
μV/°C  
Offset RTI vs. Supply  
(PSR)  
VS = 5 V to 15 V,  
TA for A, B grades,  
TOPR for W grade  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
86  
96  
96  
96  
86  
80  
92  
92  
92  
dB  
dB  
dB  
dB  
100  
100  
100  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
Over Temperature  
Input Offset Current  
Over Temperature  
DYNAMIC RESPONSE  
TA  
TOPR  
TA  
25  
2
10  
25  
100  
2
pA  
nA  
pA  
nA  
0.3  
0.3  
0.6  
TOPR  
0.005  
0.005  
10  
Small Signal Bandwidth,  
−3 dB  
TA  
G = 1  
1500  
800  
120  
14  
1500  
800  
120  
14  
1500  
800  
120  
14  
kHz  
kHz  
kHz  
kHz  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
Rev. B | Page 3 of 28  
 
1234567...28

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