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AD625SD/883B

更新时间： 2024-01-16 04:30:52
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亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
16页 521K
描述
Programmable Gain Instrumentation Amplifier

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AD625SD/883B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.05 µA
标称带宽 (3dB)：0.65 MHz最小共模抑制比：70 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.035 µA最大输入失调电压：200 µV
JESD-30 代码：R-CDIP-T16JESD-609代码：e0
长度：20.32 mm湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
最大非线性：0.01%功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：MILITARY筛选级别：MIL-STD-883B
座面最大高度：3.553 mm标称压摆率：5 V/us
子类别：Instrumentation Amplifier供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
总剂量：MIL-STD-883B V最大电压增益：10000
最小电压增益：1标称电压增益：10
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

AD625SD/883B 数据手册

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(typical @ VS = ꢃ15 V, RL = 2 kꢀ and TA = + 25ꢁC, unless otherwise noted)  
AD625–SPECIFICATIONS  
AD625A/J/S  
AD625B/K  
Typ  
AD625C  
Typ  
Model  
Min Typ  
Max  
Min  
Max  
+ 1  
10,000  
0.03  
Min  
Max  
+ 1  
110,000  
0.02  
Unit  
GAIN  
Gain Equation  
2 RF  
RG  
2 RF  
RG  
2 RF  
RG  
+ 1  
Gain Range  
1
10,000  
0.05  
1
1
Gain Error1  
.035  
ꢃ
0.02  
ꢃ
0.01  
ꢃ
%
Nonlinearity, Gain = 1-256  
Gain>256  
0.005  
0.01  
0.002  
0.008  
0.001  
0.005  
%
%
ppm/°C  
Gain vs. Temp. Gain<10001  
5
5
5
GAIN SENSE INPUT  
Gain Sense Current  
vs. Temperature  
300  
5
150  
500  
20  
500  
150  
2
75  
250  
15  
250  
50  
2
50  
100  
10  
100  
nA  
nA/°C  
nA  
Gain Sense Offset Current  
vs. Temperature  
2
15  
1
10  
2
10  
nA/°C  
VOLTAGE OFFSET (May be Nulled)  
Input Offset Voltage  
vs. Temperature  
Output Offset Voltage  
vs. Temperature  
Offset Referred to the  
Input vs. Supply  
G = 1  
50  
1
4
200  
2/2  
5
25  
0.25  
2
50  
0.50/1  
3
10  
0.1  
1
25  
0.25  
2
µV  
µV/°C  
mV  
20  
50/50  
10  
25/40  
10  
15  
µV/°C  
70  
85  
95  
75  
95  
100  
75  
90  
105  
110  
85  
80  
95  
110  
115  
90  
dB  
dB  
dB  
dB  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
100  
110  
120  
105  
120  
140  
100 110  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
vs. Temperature  
Input Offset Current  
vs. Temperature  
30  
50  
2
ꢃ
ꢃ
50  
20  
50  
1
ꢃ
ꢃ
25  
15  
10  
50  
1
ꢃ
ꢃ
15  
5
nA  
pA/°C  
nA  
35  
20  
20  
20  
pA/°C  
INPUT  
Input Impedance  
Differential Resistance  
Differential Capacitance  
Common-Mode Resistance  
Common-Mode Capacitance  
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
GΩ  
pF  
GΩ  
pF  
Input Voltage Range  
Differ. Input Linear (VDL  
2
)
10  
10  
10  
V
G
G
G
12V –  
×VD  
12V –  
×VD  
12V –  
×VD  
Common-Mode Linear (VCM  
)
(
)
(
)
(
)
2
2
2
Common-Mode Rejection Ratio dc to  
60 Hz with 1 kΩ Source Imbalance  
G = 1  
70  
90  
75  
95  
75  
90  
85  
80  
90  
dB  
dB  
dB  
dB  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
105  
115  
125  
100  
110  
120  
115  
125  
140  
100 105  
110 115  
105  
110  
OUTPUT RATING  
10 V  
10 V  
10 V  
@ 5 mA  
@ 5 mA  
@ 5 mA  
DYNAMIC RESPONSE  
Small Signal –3 dB  
G = 1 (RF = 20 kΩ)  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
Slew Rate  
Settling Time to 0.01%, 20 V Step  
650  
400  
150  
25  
650  
400  
150  
25  
650  
400  
150  
25  
kHz  
kHz  
kHz  
kHz  
V/µs  
5.0  
5.0  
5.0  
G = 1 to 200  
G = 500  
G = 1000  
15  
35  
75  
15  
35  
75  
15  
35  
75  
µs  
µs  
µs  
–2–  
REV. D  
1234567...16

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