5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QLCC |
| 包装说明： | QCCN, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 放大器类型： | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.05 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 0.65 MHz | 最小共模抑制比： | 70 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.035 µA | 最大输入失调电压： | 200 µV |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-N20 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8.89 mm | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 最大非线性： | 0.01% | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 认证状态： | MILITARY | 筛选级别： | MIL-STD-883B |
| 座面最大高度： | 2.54 mm | 标称压摆率： | 5 V/us |
| 子类别： | Instrumentation Amplifier | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 总剂量： | MIL-STD-883B V | 最大电压增益： | 10000 |
| 最小电压增益： | 1 | 标称电压增益： | 10 |
| 宽度： | 8.89 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AD625SE883B | ETC |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, LINEAR, PROGRAMMABLE GAIN MICROCIRCUIT, LINEAR, PROGRAMMABLE GAIN MONOLITHIC |
|
| AD626 | ADI |
获取价格 |
Low Cost, Single Supply Differential Amplifier |
|
| AD626_03 | ADI |
获取价格 |
Low Cost, Single-Supply Differential Amplifi er |
|
| AD626A | ADI |
获取价格 |
Low Cost, Single Supply Differential Amplifier |
|
| AD626AN | ROCHESTER |
获取价格 |
INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP |
|
| AD626AN | ADI |
获取价格 |
Low Cost, Single Supply Differential Amplifier |
|
| AD626ANZ | ADI |
获取价格 |
Low Cost, Single-Supply Differential Amplifi er |
|
| AD626ANZ | ROCHESTER |
获取价格 |
INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2500 uV OFFSET-MAX, 0.1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, D |
|
| AD626AR | ADI |
获取价格 |
Low Cost, Single Supply Differential Amplifier |
|
| AD626AR | ROCHESTER |
获取价格 |
INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2500 uV OFFSET-MAX, 0.1 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
