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AD-MJD32C

更新时间： 2023-12-06 20:01:34

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
6页	990K
描述
TO-252-2L

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AD-MJD32C 数据手册

www.jscj-elec.com

AD-MJD32C

MAXIMUM RATINGS (T_j= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-100

-5

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current-continuous

Thermal resistance-junction to air

Collector power dissipation

-3

R_θJC

P_C

100

°C/W

1.25

-55 ~ 150

Operating junction and storage temperature range

T_j, T_stg

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_j= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test condition

Min

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

V_(BR)CBOI_C= -1mA, I_E= 0A

-100

Collector-emitter breakdown voltage * V_CEO(SUS)I_C= -30mA, I_B= 0A

-100

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)EBOI_E= -1mA, I_C= 0A

-5

I_CES

I_CEO

I_EBO

V_CE= -100V, V_EB= 0V

V_CE= -60V, I_B= 0A

-20

-50

-1

µA

V_EB= -5V, I_C= 0A

V_CE= -4V, I_C= -1A

DC current gain

h_FE

V_CE= -4V, I_C= -3A

-1.2

-1.8

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

I_C= -3A, I_B= -0.375A

V_CE= -4V, I_C= -3A

V_CE= -10V, I_C= -0.5A, f_O= 1MHz

MHz

* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%.

Version 1.0

2 / 6

2021-07-01

123 4 5 6

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