ACST435-8BTR

更新时间： 2024-02-18 03:27:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置开关三端双向交流开关
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描述
Overvoltage protected AC switch

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ACST435-8BTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	11 weeks
风险等级：	5.17	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	35 mA
最大直流栅极触发电压：	1.1 V	最大维持电流：	25 mA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.5 mA	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

ACST435-8BTR 数据手册

ASCT4

Characteristics

Figure 10. On-state characteristics

(maximum values)

Figure 11. Relative variation of critical rate of

decrease of main current (dI/dt)

versus junction temperature

(A)

(dI/dt) [T ] / (dl/dt) [T = 125 °C]

100

T max:

= 0.90 V

= 110 mΩ

T = 125 °C

T = 25 °C

T (°C)

(V)

100

125

Figure 12. Relative variation of static dV/dt

immunity versus junction

Figure 13. Relative variation of leakage

current versus junction

temperature

temperature (gate open)

dV/dt [T ] / dV/dt [T = 125 °C]

DRM RRM

[T ;V

/ V [T = 125 °C; 800 V]

] / I

DRM RRM DRM RRM j

1.0E+00

= V = 536 V

= V

= 800V

RRM

DRM

Different blocking voltages

1.0E-01

1.0E-02

= V

= 600 V

RRM

DRM

= V

= 200 V

100

DRM

RRM

T (°C)

1.0E-03

125

100

125

Figure 14. Relative variation of the clamping Figure 15. Thermal resistance junction to

voltage (V ) versus junction

temperature (minimum values)

ambient versus copper surface

under tab

Rth(j-a)(°C/W)

V_CL[T ] / V_CL[T = 25 °C]

100

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

DPAK

Printed circuit board FR4,

copper thickness = 35 µm

T (°C)

S_CU(cm²)

-50

-25

100

125

Doc ID 8766 Rev 5

5/13

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