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ACS20K

更新时间： 2024-02-19 02:18:51

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英特矽尔 - INTERSIL		栅
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate

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ACS20K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL14,.3
针数：	14	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.05
系列：	AC	JESD-30 代码：	R-CDFP-F14
JESD-609代码：	e0	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	功能数量：	2
输入次数：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	15 ns
传播延迟（tpd）：	15 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	2.92 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	300k Rad(Si) V
宽度：	6.285 mm	Base Number Matches：	1

ACS20K 数据手册

ACS20MS

Die Characteristics

DIE DIMENSIONS:

88 mils x 88 mils

DIE ATTACH:

Material: Silver Glass or JM7000 Polymer after 7/1/95

2,240mm x 2,240mm

WORST CASE CURRENT DENSITY:

< 2.0 x 10⁵A/cm²

METALLIZATION:

Type: AlSiCu

Metal 1 Thickness: 6.75kÅ (Min), 8.25kÅ (Max)

Metal 2 Thickness: 9kÅ (Min), 11kÅ (Max)

BOND PAD SIZE:

> 4.3 mils x 4.3 mils

> 110µm x 110µm

GLASSIVATION:

Type: SiO₂

Thickness: 8kÅ ±1kÅ

Metallization Mask Layout

ACS20MS

(2)

(1)

VCC

(14)

(13)

NC (3)

C1 (4)

(12) C2

(11) NC

(X) NC

(10) B2

NC (X)

D1 (5)

(6)

(7)

GND

(8)

(9)

Spec Number 518815

1...3 4 567 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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