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A4K-L67140L-55

更新时间： 2024-01-06 13:26:56

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	196K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC48, LCC-48

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A4K-L67140L-55 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCN,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	S-PQCC-N48
长度：	14.315 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.26 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.02 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14.315 mm	Base Number Matches：	1

A4K-L67140L-55 数据手册

L67130/L67140

Data-Retention Mode

MHS CMOS RAMs are designed with battery backup in 2 – CS must be kept between V – 0.2 V and 70 % of Vcc

mind. Data retention voltage and supply current are during the power up and power down transitions.

guaranteed over temperature. The following rules insure

data retention :

3 – The RAM can begin operation > tRC after Vcc

reaches the minimum operating voltage (3 volts).

1 – Chip select (CS) must be held high during data

retention ; within Vcc to VCC

Timing

MAX

MIL

IND

PARAMETER

TEST CONDITIONS (18)

UNIT

COM

AUTO

ICC

@ VCC = 2 V

µA

DR1

Notes : 18. CS = Vcc, Vin = Gnd to Vcc.

19. = Read cycle time.

AC Test Conditions

Input Pulse Levels : GND to 3.0 V

Input Rise/Fall Times : 5 ns

Output Reference Levels : 1.5 V

Output Load : see figures 1, 2

Input Timing Reference Levels : 1.5 V

Figure 1. Output Load.

Figure 2. Output load.

(For t , t , t , and t

)

HZ LZ WZ

MATRA MHS

Rev. D (19 Fev. 97)

1...4 5 678 9 10...16

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