是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | VFBGA, BGA54,9X9,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 143 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B54 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA54,9X9,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.0007 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
A43L0616BG-7UF | AMICC |
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Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 | |
A43L0616BV | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616BV-6 | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616BV-6F | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616BV-7 | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616BV-7F | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616BV-7U | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616BV-7UF | AMICC |
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512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616G-75I | AMICC |
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1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM | |
A43L0616G-95I | AMICC |
获取价格 |
1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |