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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | LFBGA, BGA90,9X15,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 105 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 90 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| A43E1632G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E1632G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E1632V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E1632V-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E26161 | AMICC | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
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| A43E26161AG-75F | AMICC | DRAM |
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