Datasheet > A43E16321G-75F

A43E16321G-75F

更新时间： 2024-02-24 20:14:25

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	724K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

A43E16321G-75F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LFBGA, BGA90,9X15,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
长度：	13 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

A43E16321G-75F 数据手册

A43E16321

Decoupling Capacitance Guide Line

Recommended decoupling capacitance added to power line at board

Parameter

Symbol

CDC1

Value

Unit

μF

Decoupling Capacitance between VDD and VSS

Decoupling Capacitance between VDDQ and VSSQ

0.1 + 0.01

CDC2

μF

Note: 1. VDD and VDDQ pins are separated each other.

All VDD pins are connected in chip. All VDDQ pins are connected in chip.

2. VSS and VSSQ pins are separated each other

All VSS pins are connected in chip. All VSSQ pins are connected in chip.

DC Electrical Characteristics

Recommend operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = 0ºC to +70ºC or TA = -40ºC to +85ºC)

Speed

Symbol

Parameter

Test Conditions

Units

Note

-75

-95

Operating Current

(One Bank Active)

Burst Length = 1

Icc1

t^RC≥ tRC(min), tCC ≥ tCC(min), IOL = 0mA

CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns

Precharge Standby Current

in power-down mode

Icc2 P

0.4

Precharge Standby Current

in non power-down mode

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 10ns

Input signals are changed one time during 20ns

ICC2N

ICC3P

ICC3N

Active Standby current in

non power-down mode

(One Bank Active)

CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 10ns

Input signals are changed one time during 20ns

Operating Current

(Burst Mode)

I^OL= 0mA, Page Burst, CAS Latency = 3

All bank Activated, t^CCD= tCCD (min), tCK = 10ns

ICC4

ICC5

100

300

Refresh Current

tCK = 10ns

4 Banks

ICC6

Self Refresh Current

CKE ≤ 0.2V

240

200

2 Banks

1 Banks

ICC7

Deep Power Down Current

CKE ≤ 0.2V

Note: 1. Measured with outputs open. Addresses are changed only one time during tCC(min).

2. Refresh period is 64ms. Addresses are changed only one time during t^CC(min).

PRELIMINARY (February, 2008, Version 0.1)

AMIC Technology, Corp.

1...3 4 567 8 9...45

下载PDF

与A43E16321G-75F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A43E16321G-75UF	AMICC	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90	获取价格
A43E16321G-95F	AMICC	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP-90	获取价格
A43E16321G-95UF	AMICC	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP-90	获取价格
A43E1632G-75I	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
A43E1632G-95I	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格
A43E1632V-75I	AMICC	1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM	获取价格

与A43E16321G-75F相关文章

资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
2024-05-22

2
一文带你了解无源晶振的负载电容为何要加两颗谐振电容CL1和CL2
2024-05-22

3
玻璃管保险丝与陶瓷管保险丝：区别与替代性探讨
2024-05-22

2
PCF8574资料解读：主要参数分析、引脚说明
2024-05-21

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

A43E16321G-75F

A43E16321G-75F 技术参数

A43E16321G-75F 数据手册

与A43E16321G-75F相关器件

与A43E16321G-75F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

A43E16321G-75F

A43E16321G-75F 技术参数

A43E16321G-75F 数据手册

与A43E16321G-75F相关器件

与A43E16321G-75F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？