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A42L2604V-50UF

更新时间： 2024-02-27 23:18:10

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	261K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24

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A42L2604V-50UF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP24/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

A42L2604V-50UF 数据手册

A42L2604 Series

Truth Table

Function

Address

I/Os

RAS

CAS

Standby

High-Z

Data Out

Read: Word

Read

Row/Col.

Data Out

Write: Word (Early)

Write (Early)

Read-Write

Data In

H® L

L® H

Data Out ® Data In

EDO-Page-Mode Read: Hi-Z

-First cycle

Row/Col.

Col.

Data Out

H® L

-Subsequent Cycles

EDO-Page-Mode Write (Early)

-First cycle

Row/Col.

Col.

Data In

H® L

-Subsequent Cycles

EDO-Page-Mode Read-Write

-First cycle

Row/Col.

Col.

H® L

L® H

Data Out ® Data In

Data Out

-Subsequent Cycles

Hidden Refresh Read

Hidden Refresh Write

Row/Col.

Row

L® H® L

Data In ® High-Z

High-Z

RAS-Only Refresh

CBR Refresh

High-Z

H® L

Self Refresh

PRELIMINARY

(June, 2002, Version 0.3)

AMIC Technology, Inc.

1 2 3 456 7 8...25

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