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A42L2604V-50UF

更新时间： 2024-01-27 03:34:37

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	261K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24

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A42L2604V-50UF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP24/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

A42L2604V-50UF 数据手册

A42L2604 Series

Block Diagram

Vcc

Vss

RAS

CAS

Control

Clocks

VBB Generator

Row Decoder

Refresh Timer

Data in

Buffer

I/O0

Refresh control

Refresh Counter

I/O3

Memory Array

4,194,304 X 4

Cells

Data out

Buffer

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

A0~A10

Column Decoder

Recommended Operating Conditions (Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)

Symbol

VCC

VSS

VIH

Description

Power Supply

Min.

3.0

Typ.

Max.

Unit

3.3

3.6

Input High Voltage

Input Low Voltage

2.0

-0.5

VCC + 0.3

0.8

VIL

PRELIMINARY

(June, 2002, Version 0.3)

AMIC Technology, Inc.

1 2 345 6 7...25

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