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A42L2604V-50UF

更新时间： 2024-01-31 00:49:26

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	261K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24

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A42L2604V-50UF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP24/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

A42L2604V-50UF 数据手册

A42L2604 Series

Hidden Refresh Cycle (Early Word Write)

RC(1)

tRC(1)

RAS(3)

RP(2)

RAS(3)

RP(2)

RAS

AR(17)

CRP(9)

RCD(5)

RSH(7)

CHR(49)

CRP(9)

CAS

RAD(6)

RAL(21)

ASR(10)

CAH(25)

RAH(11)

ASC(24)

Row

Column

Address

WCS(27)

WCH(28)

WP(30)

DS(33)

DH(34)

I/O

Valid Data-in

: High or Low

PRELIMINARY

(June, 2002, Version 0.3)

AMIC Technology, Inc.

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