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A416316BS-35F

更新时间： 2024-01-17 18:31:56

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联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	405K
描述
Fast Page DRAM, 64KX16, 35ns, CMOS, PDSO40

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A416316BS-35F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ40,.44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J40
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	40
字数：	65536 words	字数代码：	64000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ40,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

A416316BS-35F 数据手册

A416316B Series

Truth Table

Function

Address

I/Os

Notes

RAS

LCAS

UCAS

Standby

Read: Word

Read: Lower Byte

Row/Col.

Data Out

I/O0-7 = Data Out

I/O8-15 = High-Z

Read: Upper Byte

Row/Col.

I/O0-7 = High-Z

I/O8-15 = Data Out

Write: Word(Early)

Row/Col.

Data In

I/O0-7 = Data In

I/O8-15 = X

Write: Lower Byte(Early)

Write: Upper Byte(Early)

Read-Write

Row/Col.

I/O0-7 = X

I/O8-15 = Data In

1.2

H® L

L® H

Data Out ® Data In

Fast-Page-Mode Read: Hi-Z

-First cycle

Row/Col.

Col.

Data Out

H® L

-Subsequent Cycles

Fast-Page-Mode Write(Early)

-First cycle

Row/Col.

Col.

Data In

H® L

-Subsequent Cycles

Fast-Page-Mode Read-Write

-First cycle

Row/Col.

Col.

Data In

1, 2

H® L

L® H

-Subsequent Cycles

Hidden Refresh Read

Hidden Refresh Write

Row/Col.

Row

Data Out

L® H® L

Data In ® High-Z

High-Z

RAS -Only Refresh

CBR Refresh

High-Z

H® L

Self Refresh (L-ver only)

Note:

1. Byte Write may be executed with either

2. Byte Read may be executed with either

active.

UCAS

LCAS

UCAS LCAS

3. Only one

signal (

UCAS LCAS

) must be active.

CAS

PRELIMINARY (November, 2000, Version 0.0)

AMIC Technology, Inc.

1 2 3 456 7 8...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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