A2F200M3F-1FGG484Y

更新时间： 2024-01-21 20:55:58

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美高森美 - MICROSEMI		现场可编程门阵列可编程逻辑栅时钟
页数	文件大小	规格书
192页	11779K
描述
Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM, 2.23 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-484

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A2F200M3F-1FGG484Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	BGA, BGA484,26X26,40	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.25	最大时钟频率：	100 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B484	JESD-609代码：	e1
长度：	23 mm	湿度敏感等级：	3
可配置逻辑块数量：	4608	等效关口数量：	200000
输入次数：	94	逻辑单元数量：	4608
输出次数：	94	端子数量：	484
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4608 CLBS, 200000 GATES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA484,26X26,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	250	电源：	1.5,1.8,2.5,3.3 V
可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.44 mm	子类别：	Field Programmable Gate Arrays
最大供电电压：	1.575 V	最小供电电压：	1.425 V
标称供电电压：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	23 mm
Base Number Matches：	1

SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

SmartFusion cSoC System Architecture

Bank 0

Embedded FlashROM

(eFROM)

ISP AES Decryption

Charge Pumps

Embedded NVM

(eNVM)

Cortex-M3 Microcontroller Subsystem (MSS)

Embedded SRAM

(eSRAM)

SCB

Osc.

ADC and DAC ADC and DAC

SCB

Bank 3

MSS

CCC

PLL/CCC

FPGA

Analog

Note: Architecture for A2F200

Revision 10

1 2 3 456 7 8...192

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A2F200M3F-1FGG484YC	MICROSEMI	FPGA	获取价格
A2F200M3F-1FGG484YI	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA484,	获取价格
A2F200M3F-1FGG484YI	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA484,	获取价格
A2F200M3F-1FGH256	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA256,	获取价格
A2F200M3F-1FGH256C	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array	获取价格
A2F200M3F-1FGH256I	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA256,	获取价格