A2F200M3B-FGG484I

更新时间： 2024-02-20 12:00:20

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		现场可编程门阵列可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
192页	11779K
描述
Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-484

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

A2F200M3B-FGG484I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	BGA,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.75
JESD-30 代码：	S-PBGA-B484	JESD-609代码：	e1
长度：	23 mm	湿度敏感等级：	3
可配置逻辑块数量：	4608	等效关口数量：	200000
端子数量：	484	组织：	4608 CLBS, 200000 GATES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	250	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.44 mm
最大供电电压：	1.575 V	最小供电电压：	1.425 V
标称供电电压：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	23 mm	Base Number Matches：	1

SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

SmartFusion cSoC System Architecture

Bank 0

Embedded FlashROM

(eFROM)

ISP AES Decryption

Charge Pumps

Embedded NVM

(eNVM)

Cortex-M3 Microcontroller Subsystem (MSS)

Embedded SRAM

(eSRAM)

SCB

Osc.

ADC and DAC ADC and DAC

SCB

Bank 3

MSS

CCC

PLL/CCC

FPGA

Analog

Note: Architecture for A2F200

Revision 10

1 2 3 456 7 8...192

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A2F200M3B-FGG484Y	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 1 MM PITCH, GREEN,	获取价格
A2F200M3B-FGG484Y	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 1 MM PITCH, GREEN,	获取价格
A2F200M3B-FGG484YC	MICROSEMI	FPGA	获取价格
A2F200M3B-FGG484YI	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 1 MM PITCH, GREEN,	获取价格
A2F200M3B-FGG484YI	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 1 MM PITCH, GREEN,	获取价格
A2F200M3B-FGH256	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN	获取价格