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A2F060M3G-FG256YM

更新时间： 2024-02-12 05:15:55

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美高森美 - MICROSEMI		栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
154页	9578K
描述
Field Programmable Gate Array,

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A2F060M3G-FG256YM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	3	峰值回流温度（摄氏度）：	225
可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY	端子面层：	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	Base Number Matches：	1

A2F060M3G-FG256YM 数据手册

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Military Grade SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

SmartFusion cSoC Block Diagram

PPB

Supervisor

OSC

Cortex-M3

SysReg

PLL

JTAG

SWD

NVIC

SysTick

–

Microcontroller Subsystem

Programmable Analog

FPGA Fabric

ENVM

WDT

32 KHz

RTC

MPU

ESRAM

APB

EFROM

IAP

SPI 1

APB

SPI 2

AHB Bus Matrix

UART 1

Timer1

Timer2

UART 2

10/100

EMAC

PDMA

APB

EMC

C 1

C 2

SCB

Analog Compute

Engine

Volt Mon.

Temp.

Mon.

(

)

ABPS

DAC

(SDD)

Curr.

Mon.

ADC

Comparator

Sample Sequencing

Engine

VersaTiles

........

SCB

Volt Mon.

Temp.

Mon.

DAC

(SDD)

ADC

(

)

ABPS

Post Processing

Engine

Curr.

Mon.

SRAM

........

SRAM

Comparator

Legend:

SDD – Sigma-delta DAC

SCB – Signal conditioning block

PDMA – Peripheral DMA

IAP – In-application programming

ABPS – Active bipolar prescaler

WDT – Watchdog Timer

SWD – Serial Wire Debug

Revision 2

1 2 345 6 7...154

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