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DRC4114T

更新时间： 2024-02-16 05:37:33

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松下 - PANASONIC		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	196K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1-B, 3 PIN

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DRC4114T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DRC4114T 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DRC4114T (Tentative)

Silicon NPN epitaxial planar type

For digital circuits

 Packaging

ꢀPackage

Radial type : 5000 pcs / carton

ꢀCode

NS-B1-B

ꢀPin Name

1: Emitter

2: Collector

3: Base

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

Unit

ꢀMarking Symbol: ND

ꢀInternal Connection

100

°C

Total power dissipation

P_T

300

Junction temperature

T_j

150

R₁

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

Resistance value

R₁

kΩ

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input voltage (ON)

V_CBOI_C= 10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

0.1

0.5

µA



0.01

460

0.25

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

160

1.2

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

V_I(on)V_CE= 0.2 V, I_C= 5 mA

Input voltage (OFF)

V_I(off)V_CE= 5 V, I_C= 100 µA

R₁

0.4

Input resistance

–30%

+30%

kΩ

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2009

ZJH00476AED

12 3

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