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DRC4114T0A PDF预览

DRC4114T0A

更新时间： 2024-02-26 10:27:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 266K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, NS-B2-B-B, 3 PIN

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DRC4114T0A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRC4114T0A 数据手册

 浏览型号DRC4114T0A的Datasheet PDF文件第2页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DRC4114T  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For digital circuits  
Complementary to DRA4114T  
DRC2114T in NS through hole type package  
Features  
ꢀPackage  
ꢀCode  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction  
Eco-friendly Halogen-free package  
NS-B2-B-B  
ackage dimension clicks here.→  
Click!  
e  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
Packaging  
DRC4114T0A Radial type : 5000 pcs / carton  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
ꢀMarking Symbol: ND  
ꢀInternal Connection  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base ope)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
50  
Unt  
V
C
E
5
V
R1  
B
100  
mA  
mW  
°C  
Total power dissipation  
300  
Junction temperaure  
150  
Resistance value  
R1  
10  
kΩ  
Storage tmperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ꢀElectrical Chtics T = 25°C±3°C  
a
P
Symbol  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage er open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = 10 µA, IE = 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
50  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
0.1  
0.5  
µA  
µA  
mA  
V
0.01  
460  
0.25  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
160  
1.2  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA  
VI(on) VCE = 0.2 V, IC = 5 mA  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = 5 V, IC = 100 µA  
R1  
0.4  
V
Input resistance  
–30%  
10  
+30%  
kΩ  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: March 2012  
Ver. AED  
1
12

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