11EQS03L

更新时间： 2024-01-05 15:05:11

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NIEC		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

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11EQS03L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.52
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.45 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	40 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

11EQS03L 数据手册

SBD Type :11EQS03L

OUTLINE DRAWING

FEATURES

Miniature Size

* Extremely Low Forward Voltage Drop

* Low Forward Voltage Drop

* High Surge Capability

* 30volts trough 100volts Types Available

* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.17g

Symbol

V_RRM

11EQS03L

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

Without Fin or

1.0 Ta=36°C

1.0 Ta=55°C

Average Rectified

Output Current

P.C.Board

Mounted *

I_O

Half Sine Wave Resistive Load

RMS Forward Current

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

I_F(RMS)

I_FSM

Tjw

1.57

°C

40 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive

- 40 to + 150

Tstg

- 40 to + 150

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min Typ Max

Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

I_RM

V_FM

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 1 A

Without Fin or P.C.Board

P.C.Board mounted *

0.45

140

110

Thermal Resistance(Junction to Ambient) Rth(j-a)

* :Print Lands = 5x5 mm,Both Sides

°C/W

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