2N2604UB

更新时间： 2024-01-28 14:29:34

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
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描述
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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2N2604UB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.46	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2604UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/354

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

2N2604

2N2605

2N2604UB

2N2605UB

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Base Voltage

Symbol 2N2604

2N2605

Unit

Vdc

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

6.0

Vdc

Emitter-Base Voltage

Vdc

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C ⁽¹⁾

mAdc

mW/°C

°C

P_T

400

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

-65 to +200

THERMAL CHARACTERISTICS

TO-46 (TO-206AB)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Max.

437

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/mW

R_θJA

275

Note:

1/ Consult 19500/354 for thermal curves

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 80V dc

2N2604, UB

2N2605, UB

2N2604, 2N2605, UB

10.0

5.0

uAdc

nAdc

uAdc

_CB= 70V dc

_CB= 50V dc

I_CBO

UB Package

V_CB= 50V dc, T_A= +150°C

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0Vdc

uAdc

ηAdc

10.0

2.0

I_EBO

_EB= 5.0Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50Vdc

I_CES

ηAdc

T4-LDS-0092 Rev. 2 (101320)

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