是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.46 |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 基于收集器的最大容量: | 300 pF |
集电极-发射极最大电压: | 400 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 8 | JEDEC-95代码: | TO-218 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 150 W | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 3000 ns |
最大开启时间(吨): | 800 ns | VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6933 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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2N6933 | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti |
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2N6933 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N6933 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14-Pin TO-116 |
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2N6934 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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2N6934 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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